酸化物半導体（IGZOなど）トランジスタ技術の基礎と三次元集積応用～モノリシック三次元集積化、三次元DRAM/NANDなどの開発動向～

セミナー趣旨

  酸化物半導体（IGZOなど）トランジスタ技術は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった優れた特性を有し、ディスプレイ分野で量産化された。現在、大規模集積回路応用への期待が高まってきている。プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用への期待が高まっており、半導体メーカーでの研究開発も活発化してきている。このような状況をふまえて本講演では酸化物半導体トランジスタ技術の基礎を解説するとともに、その三次元集積応用に向けた研究開発動向を解説する。

受講対象・レベル

・酸化物半導体の材料およびデバイス研究開発を始めたばかりの方から、ある程度の研究経験を経た方。
・酸化物半導体について、フラットパネルディスプレイの次の応用先を検討されている方

必要な予備知識

半導体の材料・プロセス・デバイスのいずれかに関する一般的な基礎知識を有していることが望ましい。

習得できる知識

・酸化物半導体の材料物性・プロセス技術・デバイス技術に関する基礎
・三次元集積デバイス応用に向けた最近の酸化物半導体デバイスの研究開発動向
など

セミナープログラム

１．背景
　1）酸化物半導体のニーズ
２．酸化物半導体の基礎
　1）酸化物半導体の材料物性
　　a）シリコンとの違い
　2）酸化物半導体のプロセス技術
　　a）薄膜形成技術
　　b）トランジスタ形成技術
　3）酸化物半導体のデバイス技術
　　a）トランジスタの性能
　　b）トランジスタの信頼性
３．三次元集積デバイス応用の研究開発動向
　1）集積デバイスの現状
　　a）シリコンの限界
　2）モノリシック三次元集積化技術
　　a）混載メモリ
　3）酸化物半導体の微細化
　4）三次元構造メモリデバイス
　　a）三次元DRAM
　　b）三次元NAND
４．まとめ
＜質疑応答＞

＊途中、小休憩を挟みます。

セミナー講師

 東京大学 生産技術研究所 教授　 小林 正治 氏

■ご略歴
2010年　米国スタンフォード大学博士課程修了
2010年-2014年　米国IBMワトソン研究所 プロパー研究員
2014年-2019年　東京大学生産技術研究所 准教授
2019年-2025年　東京大学大学院工学系研究科附属d.lab 准教授
2025年より　東京大学生産技術研究所　教授

セミナー受講料

【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 45,100円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき34,100円

【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 50,600円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき39,600円

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです
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