
以下の類似セミナーへのお申込みをご検討ください。
5Gにおける電波の伝搬特性からノイズ発生メカニズム、
そして求められるノイズ抑制材料まで最新動向を掴む!
セミナープログラム
<10:00~11:30>
1.5Gにおける電波伝搬特性とその明確化
(株)NTTドコモ 北尾 光司郎 氏
1.5Gの概要
2.これまでの電波伝搬の検討
3.高周波数帯の電波伝搬
4.標準化モデル
5.まとめ
【質疑応答・個別質問・名刺交換】
<12:10~13:40>
2.5Gに必要な電波シールド、電波吸収体技術とメカニズム
防衛大学校 山本 孝 氏
【講座概要】
第5世代の通信技術5Gが花開こうとしている。使われる周波数は、Sub6と呼ばれる3.7GHzと 4.5GHz,と28.8GHzである。自動車の自動走行や衝突防止は移動革命実現の中核技術であり、それらの誤動作を防ぐ ”電波シールド・電波吸収体”は必須である。今までTVゴースト(~800MHz)や船舶レーダーの橋体による偽像(700MHz~26GHz)対策に、近年は、無線LAN(2~60GHz)、携帯電話(800MHz~2GHz)、blue tooth (2.4GHSubz)、電力線通信(~2GHz)、実用化したETC (自動料金支払いシステム、5.8GHz)やITS (高度道路交通システム、~76GHz)に主として電波吸収体が開発されてきた。
本講座では5Gの完全な実現のために”近傍界及び遠方界”を考慮した電波シールド・電波吸収技術を紹介する。
1.電磁波の基礎
1.1 電波伝搬と反射
1.2 ロッドアンテナ、ループアンテナ近傍の電磁界
1.3 波動インピーダンス
2.シールド理論
2.1 シェルクノフの式(シールド効果)
2.2 反射損失、吸収損失の導出とその意味
2.3 遠方界と近傍界のシールド効果の式導出とその意味
3.シールド特性評価法
3.1 自由空間法(遠方界)
3.2 KEC法(近傍界)
3.3 ストリップライン法(近傍界)
3.4 近傍界プローブ法(近傍界)
4.電波吸収体の応用例(遠方界、近傍界応用)
5.5Gの話題
【質疑応答・個別質問・名刺交換】
<13:50~15:20>
3.軟磁性薄膜を用いた電磁ノイズ抑制体の開発とGHz帯への応用
東北大学 遠藤 恭 氏
【講座概要】
軟磁性薄膜を電磁波吸収材料に用いるときの基礎知識にあたる薄膜材料の種類、電磁気特性とその評価法について概説するとともに、GHz帯への応用に向けた研究報告例について紹介する。
1.はじめに
2.軟磁性薄膜に関する種類
2.1 結晶軟磁性薄膜
2.2 アモルファス軟磁性薄膜
2.3 高電気抵抗軟磁性薄膜
3.電磁ノイズ抑制特性としての磁気・電気特性とその評価法
4.軟磁性薄膜の電磁ノイズ抑制体としての応用例
5.まとめ
【質疑応答・個別質問・名刺交換】
<15:30~17:00>
4.電磁ノイズ抑制高熱伝導シートの開発とシールド効果
デクセリアルズ(株) 良尊 弘幸 氏
1.Thermal Interface Material (TIM) とは
2.炭素繊維熱伝導シート
3.電磁ノイズ抑制高熱伝導シート構成
4.熱伝導特性
5.炭素繊維の配向性解析
6.比誘電率と比透磁率の測定
7.電磁波減衰特性
8.放射電磁界シミュレーション
9.使用構造における電磁ノイズ抑制効果
セミナー講師
1. (株)NTTドコモ 5Gイノベーション推進室 主査 博士(工学) 北尾 光司郎 氏
2. 防衛大学校 名誉教授 工学博士 山本 孝 氏
【大阪府立大学 客員教授・研究員】
3. 東北大学 大学院工学研究科 准教授 工学博士 遠藤 恭 氏
4. デクセリアルズ(株) 先端材料開発部 良尊 弘幸 氏
セミナー受講料
1名につき60,000円(消費税抜き・昼食・資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき55,000円(税抜)〕
受講料
66,000円(税込)/人
関連セミナー
もっと見る関連教材
もっと見る関連記事
もっと見る-
全樹脂電池とは?その仕組み、全個体電池との違いをわかりやすく解説
【目次】 近年、エネルギー技術の進化が目覚ましく、特に電池技術はその中心的な役割を果たしています。中でも「全樹脂電池」は、軽量で安全... -
IGBTとは?原理と仕組み、その利用法をわかりやすく解説
【目次】 IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、現代の電力エレクトロニクスにおいて非常に重要な役割を果たしています。特に、... -
熱雑音とは?知っておくべき基礎知識と対策法をわかりやすく解説
【目次】 電子機器や通信システムにおいて、熱雑音は避けて通れない問題です。特に、精密な測定や高性能なデバイスを求める現代においてその... -
SiC MOSFETとは?仕組みや利用における利点と欠点について解説
【目次】 シリコンカーバイド(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は、次世代のパワーエレクト...