Ⅳ族を中心とした薄膜トランジスタ(TFT)の研究動向と材料技術～高性能化・高機能化・フレキシブル化を目指して～

セミナー趣旨

  Ⅳ族の半導体を中心として、薄膜トランジスタの高性能化・高機能化およびフレキシブル化について報告する。最近は、酸化物半導体を中心とした薄膜トランジスタの研究が盛んであり、性能向上や応用技術に関する発展が著しい。しかし現状では、CMOSを実現できる薄膜トランジスタはSiやGeなどのⅣ族半導体が中心的な存在である。これらのⅣ族多結晶半導体材料を利用し、ガラスやプラスチック上に低温で形成された薄膜トランジスタについて、報告者の研究を中心に紹介する。

受講対象・レベル

・薄膜トランジスタの研究開発を始めたばかりのエンジニア
・Ⅳ族系薄膜トランジスタを研究している大学院生・学部生

習得できる知識

・薄膜トランジスタについての基礎的な理解
・Ⅳ族系薄膜トランジスタの性能
・Ⅳ族系薄膜トランジスタの高性能化
・Ⅳ族系薄膜トランジスタの高機能化

セミナープログラム

１．薄膜トランジスタ(TFT)とは
　1-1.単結晶 vs 多結晶 vs 非晶質
　1-2.電界効果トランジスタ(FET)と薄膜トランジスタ(TFT)
２．多結晶TFTの移動度限界　～多結晶シリコンを例として～
　2-1.多結晶シリコンTFTの散乱要因
　2-2.結晶粒界
　2-3.界面ラフネス
　2-4.粒内欠陥
　2-5.低温プロセス
　2-6.まとめ
３．連続波レーザを利用したガラス基板上のシリコン薄膜の大粒径化について
　3-1.固相成長 vs パルスレーザー vs 連続波レーザ
　3-2.DPSS CWレーザを利用したガラス基板上の多結晶シリコンの大粒径化
　3-3.TFTの性能について
　3-4.回路性能　
４．ガラス基板上の単結晶シリコン成長とTFT性能
　4-1.単結晶化のアプローチ　～選択的結晶化について～
　4-2.ガラス基板上の単結晶TFTの性能について
５．四端子TFTによる高性能化・高機能化
　5-1.原理
　5-2.TFT形成プロセス
　5-3.TFT特性
　5-4.CMOSインバータの性能
６．縦型四端子TFTによる高性能化・高機能化
　6-1.原理
　6-2.金属誘起結晶化(Ni-MIC)について
　6-3.TFTプロセス
　6-4.TFT特性
　6-5.High-k導入による高性能化
　6-6.CMOS形成
７．多結晶ゲルマニウム(Ge)薄膜トランジスタの高性能化
　7-1.ガラス上の多結晶Ge薄膜の特徴
　7-2.金属触媒を利用した薄膜Geの低温結晶化
　7-3.Poly-Ge TFTの高性能化　～シングルゲート(SG) vs ダブルゲート(DG)～
　7-4.Ge vs Ge1-xSnx
　7-5.ゲートラストプロセスによる多結晶Ge TFTの高性能化
　7-6.CMOS化
８．プラスチック基板上のpoly-Ge TFT
　8-1.プラスチック基板上のDG poly-Ge TFT
　8-2.Ge TFTとOxide TFTからなるプラスチック上のハイブリッドCMOS
９．ハイブリッド3次元集積
　9-1.3次元集積プロセス
　9-2.ハイブリッド3次元TFTの性能
１０．四端子TFTのセンサへの展開
＜終了後、質疑応答＞

＊途中、小休憩を挟みます。

■講演中のキーワード
・薄膜トランジスタ(TFT)
・シリコン
・ゲルマニウム
・4端子
・3次元集積 

セミナー講師

セミナー受講料

【オンライン受講（見逃し視聴なし）】：1名 46,200円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき35,200円

【オンライン受講（見逃し視聴あり）】：1名 51,700円(税込（消費税10％）、資料付)
＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき40,700円

＊学校法人割引：学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
  （開催1週前～前日までには送付致します）
  ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
  （土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
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