自動車の電動化に向けた、シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

セミナー趣旨

習得できる知識

パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、酸化ガリウムパワーデバイス技術など。

セミナープログラム

セミナー講師

筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸　氏

【経歴・研究内容・専門・ご活動など】
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までﾊﾟﾜｰﾃﾞﾊﾞｲｽｼﾐｭﾚｰｼｮﾝ技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事
1999年-2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事
2009 年5月-2013年3月　産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
2013年4月-　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る。
IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員

【著書】
1．「パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス」（科学情報出版, 2024年2月）
2．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」　（科学情報出版, 2019年9月）
3. “Springer Handbook of Semiconductor Devices” Editor M Rudan et al., Chapter “Silicon Power
  Devices 担当執筆, Springer Nature, 2023. 
4．“Wide Bandgap Semiconductor Power Devices” Editor B.J.Baliga, Chapert 4 担当・執筆　(Elsevier, Oct. 2018)

【監修書】
1．「パワーエレクトロニクス技術の進展」　（㈱シーエムシー出版, 2024年9月）
2．「次世代パワー半導体の開発・評価と実用化」（㈱エヌ・ティー・エス　2022年2月）、
3．「次世代パワー半導体の開発動向と応用展開」（㈱シーエムシー出版, 2021年8月）

【編集書】
1．「世界を動かすパワー半導体 －IGBTがなければ電車も自動車も動かない-」（電気学会2008年12月 ）

【受賞】
日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞　(2020年12月)
電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞　(2020年4月)
電気学会　優秀技術活動賞　グループ著作賞(2011年)
【専門】
シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術

セミナー受講料

55,000円 ( E-Mail案内登録価格 52,250円 ) S&T会員登録とE-Mail案内登録特典について

 2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額の27,500円)

 1名申込みの場合： 受講料 44,000円 (E-Mail案内登録価格 42,020円)
定価：本体40,000円＋税4,000円、E-Mail案内登録価格：本体38,200円＋税3,820円
※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※他の割引は併用できません。

受講について

ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

配布資料

• PDFテキスト(印刷可・編集不可)