半導体材料のウェットエッチング加工の基礎と持続的なウェットエッチングプロセス実現への取り組み

セミナー趣旨

ウェットエッチング加工は、表面に加工歪が残らないことや化学的・結晶学的な作用に基づく異方性加工が行えるなど、機械的・物理的加工と異なるメリットを持ち、特に電子・半導体・MEMS加工分野では必要不可欠な加工である。今後も基盤技術の一つとして持続可能性のあるプロセスにしなければならない。
本講演では半導体プロセスで使用される金属薄膜も含めたウェットエッチングの基礎及びエッチング加工について説明する。また、半導体として基本となる単結晶シリコンに対して、エッチング加工特性とそのメカニズムを述べる。加えて、次世代半導体のウェットエッチング加工や持続的なエッチングプロセス（エッチングプロセスのグリーン化）への取り組みについて説明を行う。

習得できる知識

ウェットエッチング方法、エッチング液、およびエッチング機構についての知識が得られる．また、エッチング方式を選定するときに必要な実験技術についても把握できる．
半導体材料の代表格である単結晶シリコンのウェットエッチング加工特性とそのメカニズムについての知識が身につく．加えて、次世代半導体材料のウェットエッチング動向や持続的なエッチングプロセスへ取り組みを把握できる．

セミナープログラム

１．ウェットエッチングの基礎
　1.1 ウェットエッチング加工が使用されている分野
　1.2 ウェットエッチング加工の方法
　1.3 ウェットエッチングのマクロ的な特徴
　　（等方性と異方性）
　1.4 ウェットエッチングのミクロ的な特徴
　　（エッチング機構）

２．単結晶シリコンのウェットエッチング加工
　2.1 酸系エッチング液による等方性エッチング
　2.2 アルカリエッチング液による異方性エッチング
　　2.2.1 アルカリ水溶液によるエッチング加工特性
　　2.2.2 アルカリ水溶液中でのエッチングメカニズム
　　2.2.3 エッチング加工特性に及ぼす各種要因
　　　（液中金属不純物、電圧、界面活性剤など）
　　2.2.4 エッチングマスクパターンの選択
　　2.2.5 エッチング特性を把握するための実験方法

３．次世代半導体材料のウェットエッチング加工
　3.1 次世代半導体材料に使用されているエッチング方法
　　（光電気化学エッチング、金属アシストエッチングなど）
　3.2 SiC、GaN、Ga2O3材料のエッチング加工事例

４．持続的なウェットエッチングプロセス
　（アルカリ水溶液による単結晶シリコンエッチングプロセスでの事例）
　4.1 エッチング液の低濃度化
　4.2 液滴エッチングプロセス

セミナー講師

愛知工業大学　 工学部 機械学科　 田中　浩　氏

セミナー受講料

【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)
  2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。