※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。

【アーカイブ配信:2/3~2/17(何度でも受講可能)】での受講もお選びいただけます。

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    セミナー趣旨

    最新のMOSトランジスタ開発は、高速化・高集積化を追求し、従来のプレーナ型から3次元構造のFinFETやナノシートFETへと進んでいます。これらの3次元構造のMOSFETの開発や設計は、コンピューターシミュレーションを使用して行われるようになってきました。
    しかし、これらのシミュレーションにおいても、パラメータの設定には、従来のプレーナ型MOSFET設計やバイポーラトランジスタで培った半導体知識が必要です。
    半導体デバイスの学習は、どうしても数式の導出や羅列が多く、学習意欲が損なわれがちです。そのため、半導体特性計算のコツや半導体物理の基礎、PN接合、MOS構造、MOSトランジスタの特性について、MS Excelを使った計算演習を通じて数値的な実感を持ってもらいます。
    また、なぜCMOSが使われるのかという基礎的な理解にも言及し、従来形のMOSFETから最新のMOSFET開発への橋渡しを行います。

    受講対象・レベル

    半導体デバイス開発・設計の実務に携わる若手および中堅技術者の方

    必要な予備知識

    MS Excelの基本操作が出来ること。

    習得できる知識

    半導体デバイス開発・設計のための基礎知識が習得できる。

    セミナープログラム

    1.半導体基礎
     1-1.結晶構造と結晶方位
     1-2.CGS単位とSI単位、物理定数
     1-3.シリコンの定数

    2.電子の運動とバンド構造
     2-1.電子の運動
      (1)粒子と波動
         ①スリットと干渉
         ②金薄膜の回折
     2-2.エネルギー準位の量子化
      (1)ボーアの水素原子模型
      (2)バンド構造
      (3)結晶のバンド構造
         ①状態密度関数
         ②パウリの排他則とフェルミ‐ディラック分布
          1)パウリの排他則
          2)フェルミ‐ディラック分布
           ●フェルミ準位とは
          3)キャリアのエネルギー分布
     2-3.各種固体のバンド構造
      (1)金属
      (2)半導体
      (3)絶縁体
     2-4.半導体のエネルギー準位図
      (1)各種バンドの表し方
         ①エネルギーと位置
         ②エネルギー分布と位置
         ③エネルギーと波数k
      (2)真性半導体
      (3)N形半導体
      (4)P形半導体

    3.キャリアの運動
     3-1・ドリフトと拡散
      (1)ドリフト移動度
      (2)キャリアの拡散
      (3)アインシュタインの関係式とキャリアの拡散長
      (4)演習①(キャリアの拡散長計算)

    4.PN接合
     4-1.PN接合のバンド構造
     4-2.PN接合の電流-電圧特性
      (1)計算式
      (2)演習②(飽和電流の計算等)
     4-3.空乏層の拡がり
      (1)階段接合
      (2)傾斜接合
      (3)演習③(空乏層の拡がり計算)

    5.不純物濃度の求め方
     5-1.キャリア濃度から
     5-2.体積抵抗率とキャリア濃度の関係グラフ
      (1)演習④(不純物濃度の求め方演習)
     5-3.ドーズ量と接合深さから
     5-4.一般的な文献値から

    6.MOS素子基本特性
     6-1.MOS構造
     6-2.ゲートバイアスと反転層の形成
      (1)電荷蓄積層の形成
      (2)空乏層の形成
      (3)反転層の形成
      (4)演習⑤(しきい値電圧計算)

    7.MOSトランジスタ
     7-1.MOSトランジスタ電流-電圧の関係式
     7-2.MOSトランジスタの閾値電圧の計算方法
      (1)計算式
      (2)調整方法
      (3)演習⑥(イオン注入によるしきい値電圧調整)
     7-3.耐圧
      (1)ブレークダウン耐圧
         ①アバランシェ降伏(なだれ降伏)
         ②ツェナー降伏
         ③アバランシェ降伏とツェナー降伏の温度特性
      (2)階段接合(無限大平面の場合)のブレークダウン電圧
      (3)空乏層の伸びとブレークダウン電圧の関係
      (4)コーナーRがある場合
      (5)演習⑦(ブレークダウン電圧の計算)
     7-4.アイソレーションと寄生MOS
      (1)寄生MOSのしきい値電圧とチャネルストッパー
      (2)計算式
      (3)演習⑧(寄生 MOSのしきい値電圧の計算)

    8.CMOSについて
     8-1.CMOS回路の特徴
     8-2.CMOS回路の実際
     8-3.CMOSプロセスと構造

    9.最新構造のMOSトランジスタへのアプローチ


    キーワード:
    半導体,デバイス,設計,CMOS,MOSトランジスタ,MOSFET,セミナー,研修

    セミナー講師

    駒形技術士事務所 研究開発部 所長 駒形 信幸 氏

    【専門】
    半導体デバイス

    【略歴】
    ・日本技術士会正員
    ・応用物理学会正員
    (フォト二クス分科会、応用電子物性分科会、薄膜・表面物理分科会、結晶工学分科会、超電導分科会、有機分子・バイオエレクトロニクス分科会、プラズマエレクトロニクス分科会、シリコンテクノロジー分科会、先進パワー半導体分科会所属)
    ・電子情報通信学会正員
    (基礎・境界ソサイエティ、通信ソサイエティ、エレクトロニクスソサエティ、情報システムソサイエティ、ヒューマンコミュニケーショングループ所属)

    セミナー受講料

    55,000円(税込、資料付)
    ■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合49,500円、
      2名同時申込の場合計55,000円(2人目無料:1名あたり27,500円)で受講できます。
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    開催日時


    10:30

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    開催場所

    全国

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    キーワード

    半導体技術   電子デバイス・部品

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    半導体技術   電子デバイス・部品

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