【延期】半導体ドライエッチングの基礎と原子層プロセスの最新動向

セミナー趣旨

本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。
具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング（RIE）から、近年注目を集める原子層エッチング（ALE）にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積（ALD）プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション（DX）の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

セミナープログラム

　1　背景
　2　プラズマ科学の基礎
　3　代表的なプラズマプロセス装置
　　3.1　容量結合型プラズマ（CCP）装置
　　3.2　誘導結合型プラズマ（ICP）装置

　4　反応性イオンエッチング（RIE）の基礎
　　4.1　プラズマ表面相互作用
　　4.2　表面帯電効果
　　4.3　シリコン系材料エッチング反応機構
　　4.4　金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
　　4.5　高アスペクト比（HAR）エッチング概要

　5　プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD）の基礎として
　6　ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
　　6.1　熱ALD
　　6.2　プラズマ支援（PA-）ALD

　7　ALEプロセスの概要と最新技術動向
　　7.1　PA-ALE
　　7.2　熱ALE：リガンド交換
　　7.3　熱ALE：金属錯体形成

　8　半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）
　9　まとめ　

セミナー講師

浜口智志（はまぐちさとし）氏　
大阪大学　工学研究科　マテリアル生産科学専攻　教授（理学博士）
＜略歴＞
　1982年　東京大学　理学部　物理学科　卒業
　1987年　東京大学大学院　理学系研究科　物理学専攻　博士課程修了
　1988年　ニューヨーク大学大学院　数学科　博士課程修了
　1988年-1990年　テキサス大学物理学科　核融合研究所　研究員
　1990年-1998年　IBM ワトソン研究所　主任研究員
　1998年-2004年　京都大学　エネルギー科学研究科　助教授
　2004年　　大阪大学　工学研究科　教授  現在に至る
 
＜学会活動等＞
　国際真空科学技術応用国際連合（IUVSTA）プラズマ科学技術分科会（PSTD）長（2019-2021）、Journal of Plasma Medicine 編集委員長（2019-現在）、プラズマ医療国際学会（IPMS）会長（2015-2016）、米国真空学会（AVS）プラズマ科学技術分科会（PSTD）分科会長（2014）等歴任、米国物理学会（APS）フェロー、米国真空学会（AVS）フェロー、応用物理学会（JSAP）フェロー

セミナー受講料

お1人様受講の場合　53,900円[税込] / 1名
1口でお申込の場合　66,000円[税込] / 1口（3名まで受講可能）

受講申込ページで2～3名を同時に申し込んだ場合、自動的に1口申し込みと致します。

受講について

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