SiC/GaN/酸化ガリウムパワーデバイスの技術と実用化【最新展望】

セミナープログラム

第1部　10：30～12：00
SiCパワーデバイスの技術と実用化【最新展望】
筑波大学 岩室　憲幸　氏
【趣旨】
今、世界各国が電気自動車（EV）の開発に向けて大きく動き出している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化している。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが以前主役として活躍している。本講演では、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiCパワーデバイスの最新技術についてわかりやすく解説する。
【プログラム】
1.　パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは何か？
　1-1　パワエレ＆パワーデバイスの仕事
　1-2　パワー半導体の種類と基本構造
　1-3　シリコンMOSFET・IGBTだけが市場で生き残った。なぜ？
2.　最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
　2-1　IGBT特性改善を支える技術
　2-2　薄ウェハ化の限界
　2-3　まだまだ特性改善が進むIGBT
3.　SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1　ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-2　SiCのSiに対する利点
　3-3　SiC-MOSFET最新技術
　3-4　SiCデバイス信頼性のポイント
　3-5　SiC-MOSFET実用化に向けた課題と展望
4.　高温対応実装技術
　4-1　高温動作ができると何がいいのか
　4-2　SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　4-3　ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
5.　まとめ


第2部　13：00～14：30
GaNパワーデバイスの開発状況と将来の展望
名古屋大学　加地 徹 氏
【趣旨】
GaNは、次世代パワーデバイスとして高い性能を有する材料として認識され、デバイス開発が進んでいる。GaNパワーデバイスは横型、縦型構造のデバイスが開発されており、横型GaNデバイスの高速性能は、パワーモジュールのサイズと重量を削減し、縦型GaNデバイスの低オン抵抗性能はインバータの冷却負荷の低減に効果的である。横型デバイスは現在システム応用が進展しつつある。縦型デバイスは要素技術開発の段階であるが、いくつかのブレークスルーが実現され、高性能を実証できる環境が整いつつある。本講演では最新の開発状況を概観し、将来の見通しを述べる。
【プログラム】
1.　GaNパワーデバイスの特徴
2.　横型パワーデバイスの開発状況
　2.1　ノーマリオフ動作
　2.2　電流コラプス
　2.3　市販ノーマリオフデバイスの構造と特徴
　2.4　高速化と集積化
3.　縦型パワーデバイスの開発状況
　3.1　GaN縦型デバイスの優位性
　3.2　これまでのデバイス報告例
　3.3　縦型デバイスのプロセス技術
　　　・GaN縦型パワーデバイスの構造
　　　・GaN基板の開発
　　　・低濃度ドーピング技術
　　　・C混入の問題
　　　・低ダメージトレンチ形成技術
　　　・p-GaNイオン注入技術
4.　GaNパワーデバイスに適した応用分野
5.　まとめと将来展望


第3部　14：40～16：10
酸化ガリウムパワーデバイスの技術と実用化【最新展望】
(国研)情報通信研究機構　東脇　正高　氏
【趣旨】
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、物性面での課題について述べた後、最新のエピタキシャル成長およびデバイスプロセス研究開発状況、実用化に向けた展望などについて解説する。
【プログラム】
1.　はじめに
　1.1　Ga2O3の材料的特徴（主にSiC, GaNとの比較から）
　1.2　物性面での課題（p型Ga2O3など）
　1.3　将来的なGa2O3デバイスの用途
2.　Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
　2.1　HVPE成長
　2.2　MOCVD成長
3.　Ga2O3トランジスタ開発
　3.1　横型MOSFET
　3.2　横型HEMT
　3.3　縦型MOSFET (CAVET)
　3.4　縦型Fin FET
4.　Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
　4.1　縦型フィールドプレートSBD
　4.2　縦型トレンチSBD
5.　まとめ（今後の技術課題、実用化に向けた展望）

セミナー講師

第1部　10：30～12：00
SiCパワーデバイスの技術と実用化【最新展望】
岩室 憲幸 氏
筑波大学　数理物質系　物理工学域　教授　博士（工学）
略歴
1984年早稲田大学理工学部卒、1998年　博士（工学）（早稲田大学）。
富士電機株式会社に入社。
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事。
1999年～2005年　薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009 年5月～2013年3月　産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月～　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る。
専門：Si-IGBT/Diode ならびにSiC-MOSFET/SBDデバイス研究開発

第2部　13：00～14：30
GaNパワーデバイスの開発状況と将来の展望
加地 徹 氏
名古屋大学 未来材料・システム研究所 トヨタ先端パワーエレクトロニクス寄附研究部門 特任教授
略歴
1975 名古屋大・工卒．1978同大大学院博士後期課程中退．同年(株)豊田中央研究所入社
2016 名古屋大　未来材料・システム研究所に移籍．現在，文部科学省プロジェクト「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」パワーデバイス・システム領域 領域長

第3部　14：40～16：10
酸化ガリウムパワーデバイスの技術と実用化【最新展望】
東脇 正高 氏
(国研)情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター長
略歴
平成10年　大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）
平成10～12年　日本学術振興会　博士特別研究員
平成12年　郵政省通信総合研究所 研究員　［平成16年4月　（独）情報通信研究機構に改組］
平成19～22年　米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校　プロジェクト研究員　（情報通信研究機構より転籍出向）
平成22年　情報通信研究機構へ復帰　主任研究員、総括主任研究員を経て、平成25年よりセンター長、現在に至る

セミナー受講料

51,000円　(Eメール案内希望価格：1名48,500円，2名51,000円，3名73,000円）
※資料付
※Eメール案内を希望されない方は、「51,000円×ご参加人数」の受講料になります。
※Eメール案内(無料)を希望される方は、通常1名様51,000円から
　★1名で申込の場合、48,500円
　★2名同時申込の場合は、2名様で51,000円(2人目無料)
　★3名同時申込の場合は、3名様で73,000円
　★4名以上同時申込の場合は、3名様受講料＋3名様を超える人数×20,000円
※2名様以上の同時申込は同一法人内に限ります。
※2名様以上ご参加は人数分の参加申込が必要です。
　ご参加者のご連絡なく2名様以上のご参加はできません。