リソグラフィ技術の開発動向とレジスト材料への要求特性、トラブル対策

セミナー趣旨

メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。リソグラフィは現在先端の量産で用いられているダブル/マルチパターニングに加えて、待ち望まれていたEUVが用いられはじめている。レジストはこのようなリソグラフィの変革に対応して進展し続けている。
本講演では、最新のロードマップを紹介し、EUVを中心としたリソグラフィの最先端技術、開発動向、レジスト材料への要求特性について解説する。量産工程で実際に起こるレジスト材料のトラブルについて、その対策の詳細を述べる。さらにリソグラフィの技術展望、レジストの市場動向についてまとめる。

習得できる知識

・リソグラフィの最先端技術
・レジスト材料の最先端技術と要求特性
・レジスト材料のトラブル対策
・リソグラフィの課題と対策
・リソグラフィ、レジストの開発動向
・レジストのビジネス動向

セミナープログラム

１．ロードマップ
　1.1 リソグラフィ、レジストへの要求特性
　1.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢

２．リソグラフィの最先端技術、開発動向とレジスト材料への要求特性
　2.1 EUVリソグラフィ
　　2.1.1 EUVリソグラフィの現状と課題・対策
　　2.1.2 EUVリソグラフィの開発動向
　　2.1.3 EUVレジストの要求特性と設計指針
　　2.1.4 EUVレジストの開発動向
　　2.1.5 EUVメタルレジストの特徴・性能と開発動向
　2.2 ダブル/マルチパターニング
　　2.2.1 リソ−エッチ（LE）プロセス
　　2.2.2 セルフアラインド（SA）プロセス
　2.3 自己組織化（DSA）リソグラフィ
　　2.3.1 グラフォエピタキシー
　　2.3.2 ケミカルエピタキシー
　2.4 ナノインプリントリソグラフィ

３．レジスト材料のトラブル対策
　3.1 レジストパターン形成不良への対応
　　3.1.1 パターン倒れ
　　3.1.2 パターン密着性不良
　　3.1.3 パターン形状不良
　　3.1.4 チップ内のパターン均一性不良
　3.2 化学増幅型レジストのトラブル対策
　　3.2.1 レジスト材料の安定性
　　3.2.2 パターン形成時の基板からの影響
　　3.2.3 パターン形成時の大気からの影響
　3.3 ArF液浸リソグラフィ用レジストのトラブル対策

４．リソグラフィの技術展望

５．レジストの市場動向

【質疑応答】

セミナー講師

大阪大学　産業科学研究所　招聘教授　工学博士　遠藤 政孝 氏

【ご略歴】
1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィ、レジスト、微細加工用材料の開発に従事。
2009年から大阪大学産業科学研究所にて、レジスト、EUVレジストの研究開発に従事。
・フォトポリマーコンファレンス企画委員長
・フォトポリマー懇話会企画委員長

セミナー受講料

1名につき55，000円（消費税込・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込）〕