電力変換回路・装置設計の基礎とSiC / GaNパワーデバイスの使い方・技術市場動向

セミナー趣旨

パワー半導体デバイスを利用した電力変換技術（パワーエレクトロニクス）は今や電気を使うところでは当たり前に使われていますが、様々な専門分野が融合した技術分野となっており、各コンポーネントの開発に各々の専門知識が必要であることから、これまで電気を専門としてこなかった方も製品開発に携わることが多くなっていると聞きます。

電力変換装置は、パワー半導体デバイスを主として、受動素子、ゲート駆動回路、デジタル制御回路、放熱器などが統合されて作られていますが、それらを総合的に理解するにはやはり電気回路の知識が必要不可欠です。

本セミナーでは、電気回路の視点から、電力変換回路の基礎、装置設計の基礎、パワーデバイスの使いこなし技術等を扱います。短い時間でなるべく直感的に理解できるよう、各技術には深入りせず俯瞰的に学び、製品開発や技術営業にすぐに役立てて頂くことを目指します。

セミナープログラム

　1. 電力変換回路の基礎
　　1.1　パワーエレクトロニクスとは
　　1.2　電力変換の基本的な考え方
　　1.3　パワエレ技術を習得するための電気回路理論
　　1.4　電力変換回路の性能評価指標

　2. 代表的な半導体パワーデバイスとゲートドライブ技術
　　2.1　ダイオード
　　2.2　MOSFET
　　2.3　IGBT
　　2.4　ゲートドライブ回路

　3. 電力変換回路方式
　　3.1　電力変換回路の基本的な構成
　　3.2　AC/DC変換（整流回路）
　　3.3　DC/DC変換
　　3.4　DC/AC変換（インバータ）
　　3.5　AC/ACコンバータ

　4. 電力変換回路の変調、制御の基礎
　　4.1　変調方式
　　4.2　制御方式
　　4.3　様々な応用（系統連系、モータドライブ等）

　5. 電力変換装置の設計法の基礎
　　5.1　半導体パワーデバイスの選定法
　　5.2　受動素子のパラメータ設計法
　　5.3　実装方法

　6. 回路シミュレータによる電力変換回路設計、評価の基礎（シミュレーション実習）
　　6.1　パワエレ設計で用いられるシミュレータ
　　6.2　電力変換回路のシミュレーション実習

　7. ワイドバンドギャップ半導体とその使いこなし技術
　　7.1　SiC-MOSFETの特性と使いこなし技術
　　7.2　GaN-HEMTの特性と使いこなし技術
　　7.3　将来のパワーデバイス

セミナー講師

小原 秀嶺　氏　　　　横浜国立大学　大学院工学研究院　知的構造の創生部門　准教授

セミナー受講料

お1人様受講の場合　49,500円[税込]／1名
1口でお申込の場合　62,700円[税込]／1口（3名まで受講可能）
 
受講申込ページで2～3名を同時に申し込んだ場合、自動的に1口申し込みと致します。

受講について

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