酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

★ 次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待の酸化ガリウム (Ga₂O₃) ！

講師

国立研究開発法人情報通信研究機構
未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター
センター長　博士（工学） 東脇 正高 氏

【専門】 半導体デバイス、薄膜結晶成長
【経歴】
平成10年　大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）
平成10～12年　日本学術振興会　博士特別研究員
平成12年　郵政省通信総合研究所 研究員 ［平成16年4月 （独）情報通信研究機構に改組］
平成19～22年　米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校　プロジェクト研究員
 （情報通信研究機構より転籍出向）
平成22年　情報通信研究機構へ復帰　主任研究員、総括主任研究員を経て、
　平成25年よりセンター長、現在に至る
【受賞歴】
平成17年　第27回応用物理学会論文賞（JJAP論文奨励賞）
平成18年　第28回応用物理学会論文賞
平成19年　The Young Scientist Award of the 2007 International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
平成21年　丸文研究奨励賞
平成25年　第27回フジサンケイビジネスアイ 先端技術大賞 特別賞
平成27年　第11回日本学術振興会賞 　

受講料

R&D会員登録していただいた場合、通常1名様申込で49,980円（税込）から
★1名で申込の場合、47,250円（税込）へ割引になります。
★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,980円（2人目無料）です。

(まだR&D会員未登録の方は、申込みフォームの通信欄に「会員登録情報希望」と記入してください。詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)

受講対象・レベル

　電機メーカー、自動車メーカー、半導体材料・装置メーカーなどの研究開発・企画戦略・生産製造などに携わる方。　

習得できる知識

・Ga₂O₃物性の基礎知識
・バルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報　

趣旨

　酸化ガリウム (Ga₂O₃) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。本講演では、Ga₂O₃パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。　

プログラム

１．はじめに
　1.1  Ga₂O₃の材料的特徴（SiC, GaNとの比較から）
　1.2  将来的なGa₂O₃デバイスの用途

２．Ga₂O₃バルク融液成長技術、ウェハー製造
　2.1  単結晶バルク融液成長
　2.2  単結晶Ga₂O₃ウェハー

３．Ga₂O₃エピタキシャル薄膜成長技術
　3.1  オゾンMBE成長
　3.2  プラズマMBE成長
　3.3  HVPE成長

４．Ga₂O₃トランジスタ開発
　4.1  横型MESFET
　4.2  横型DモードMOSFET
　4.3  横型フィールドプレートMOSFET
　4.4  横型EモードMOSFET
　4.5  縦型DモードMOSFET (CAVET)
　4.6  海外のGa₂O₃トランジスタ開発動向

５．Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
　5.1  HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
　5.2  縦型フィールドプレートSBD

６．まとめ、今後の課題

【質疑応答・名刺交換】

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