【中止】ALD(原子層堆積)/ALE(原子層エッチング)技術の基礎と応用

セミナー趣旨

　AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能な薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。
　本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD（原子層堆積）/ALE（原子層エッチング）技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、LSI、薄膜トランジスタ、パワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。

受講対象・レベル

　・ 半導体プロセス・デバイス技術者・学生/教員・企業関係者・研究企画関係者

習得できる知識

　・ 半導体プロセス技術全般（特にALD技術）
　・ 半導体デバイス技術（特にMOSデバイス）
　・ 半導体材料の評価技術（電気的/化学的/物理的）

セミナープログラム

1.　薄膜形成技術の基礎
　1.1　薄膜作製の基礎
　1.2　薄膜の評価方法
　　1.2.1　電気的評価
　　1.2.2　化学的分析法
　　1.2.3　光学的評価法
　　
2.　ALD技術の基礎
　2.1　ALD技術の原理
　2.2　ALD薄膜の特長
　2.3　ALD技術の歴史
　2.4　ALD装置の仕組み
　2.5　ALD技術の材料
　　
3.　ALD技術の応用
　3.1　パワーデバイスへの応用
　3.2　酸化物薄膜トランジスタへの応用
　3.3　MOS LSIへの応用
　　
4.　ALE技術の基礎
　4.1　ALEの歴史
　4.2　ALEの原理
　　
5.　ALE技術の応用事例
　3.1　シリコン、窒化ガリウム等半導体材料への応用
　3.2　シリコン酸化膜、窒化膜等絶縁膜への応用
　3.3　Co等金属膜への応用
　　
6.　ALD/ALE技術の課題と展望

※ 適宜休憩が入ります。

セミナー講師

　浦岡 行治 氏　　奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科　教授

セミナー受講料

55,000円（税込）　　

＊ 資料付
＊メルマガ登録者49,500円（税込）
＊アカデミック価格26,400円（税込）

★メルマガ会員特典
2名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、
1名あたりの参加費がメルマガ会員価格の半額となります。

★ アカデミック価格
学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、
大学院の教員、学生に限ります。申込みフォームに所属大学・大学院を記入のうえ、
備考欄に「アカデミック価格希望」と記入してください。

受講について

• 本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
  　→ https://zoom.us/test
• 当日はリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
• タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
• お手元のPC等にカメラ、マイク等がなくてもご視聴いただけます。この場合、音声での質問はできませんが、チャット機能、Q&A機能はご利用いただけます。
• ただし、セミナー中の質問形式や講師との個別のやり取りは講師の判断によります。ご了承ください。
• 「Zoom」についてはこちらをご参照ください。

■ お申し込み後の流れ

• 開催前日までに、ウェビナー事前登録用のメールをお送りいたします。お手数ですがお名前とメールアドレスのご登録をお願いいたします。
• 事前登録完了後、ウェビナー参加用URLをお送りいたします。
• セミナー開催日時に、参加用URLよりログインいただき、ご視聴ください。
• 講師に了解を得た場合には資料をPDFで配布いたしますが、参加者のみのご利用に限定いたします。他の方への転送、WEBへの掲載などは固く禁じます。
• 資料を冊子で配布する場合は、事前にご登録のご住所に発送いたします。開催日時に間に合わない場合には、後日お送りするなどの方法で対応いたします。