超精密研磨/CMPプロセス技術全容の理解から将来型技術へ

セミナー趣旨

　近年では、多機能・高性能化を目指した新しいデバイスが次々と提案され、それと相まって、半導体Si以外の新たな材料が使用されるようになってきました。特に、パワー/高周波デバイス用あるいはＬＥＤ用としてサファイア、SiC、GaN,　Diamondなどの難加工基板が脚光を浴びています。それに加えて、データセンター。基地局用にもLT,　LN、GaAsなどの結晶基板の適用も要請されている。これらの多種多様な基板を高能率・高品質に超精密加工するためには、熟成・定着してきたベアSiウェーハをはじめ、デバイスウェーハ平坦化CMP技術などを例にして、加工技術の基礎を徹底理解しておくことが必要不可欠です。

　本セミナーでは、長年培ってきたガラスを含めた機能性材料基板の超精密加工プロセス技術について徹底的に掘り下げた情報を盛り込みながら、あらゆる材料の超精密加工実現の門外不出のノウハウも含めながら、難加工材料のCMP技術や超精密加工プロセス技術などを詳細に解説します。さらに、究極デバイス用ダイヤモンド基板を含めた高効率加工プロセスなどについても言及し、新しい研究開発のビジネスチャンスをつかんでいただく橋渡しをさせていただきます。

受講対象・レベル

【1】 研磨・CMP技術を学びたい方、或いは 現在研究開発中の方
【2】 これから研磨・CMPとその周辺技術でビジネスチャンスを捕えようとする方
【3】 加工技術・プロセス技術分野で新しいビジネスを試みたい方
【4】 半導体加工分野で新しい領域のシーズを探索されている方
【5】 半導体領域で横のつながり、産学連携を望む方　　　　　　　　　　　　　　　　など

習得できる知識

・オプトメカトロニクス・半導体分野の超精密加工プロセス技術の基礎からデバイスへの応用技術
　そしてウエハのボンディング（接合）の基礎と事例までの全容を理解してビジネスチャンスを得る。
・超精密加工技術の現状と将来加工技術の展望を把握して次の一手を考える。

セミナープログラム

Ⅰ　超精密加工技術の基礎編（１）
　　　―研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズム基礎、各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解―
　　　1. 超精密研磨（研削/ラッピング/ポリシング/CMP等）技術の位置づけ/必要性と適用例
　　　2. 基本的加工促進のメカニズム概要の理解
　　　3. 各種機能性材料の超精密ポリシング ～コロイダルシリカ・ポリシング/CMPを含めて～
　　　　（ここで登場する被加工用基板; HD・光ファイバ用ガラス、Si,サファイア、GaAs, LT, 水晶、GGG,　SiC、有機結晶など）

Ⅱ　消耗資材・周辺加工技術の基礎編（２）
　　　―加工メカニズムからパッド・スラリー、コンディショニング、リサイクル技術を徹底理解の事例―
　　　1. 硬軟質二層構造パッド　－高精度高品位化パッドの考案・試作―
　　　2. ダイラタンシー現象応用スラリーとパッドの考案・試作
　　　3. レアアース対策としてのセリア代替の二酸化マンガン系砥粒　－ガラスの研磨事例―
　　　4. スラリーのリサイクル技術　
　　　　 4.1 ガラス/酸化膜CMP用セリアスラリーのリサイクル技術
　　　　 4.2 メタルCMP用スラリーのリサイクル技術
　　　　（ここで登場する被加工用基板;　Si,　SiC,　HD用ガラス、メタルW,　GaNなど）

Ⅲ　超精密加工技術の応用編/将来加工技術（１）
　　　―超LSIデバイスの多層配線加工用の平坦化（プラナリゼーション）CMP技術の徹底理解―
　　　1. デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
　　　2. 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例－パッド・スラリーそして装置―
　　　3. パッドのドレッシング　－非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案―
　　　4. CMP用スラリーの設計とそのため必須のダイナミック電気化学（ｄ－EC）装置の紹介
　　　5. Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
　　　　（ここで登場する被加工用基板;　Si,　SiO2,　Cu,　W,　Co,　Ta, TaN, TiN,　など）

Ⅳ　超精密加工技術の応用編/将来加工技術（２）
　　―革新的高能率・高品質加工プロセス技術　－SiC・GaN/Diamond基板を対象として―
　　  1. 将来型加工技術に向けて
　　　　1.1 加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
　　　　1.2 パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
　　  2. 革新的加工技術へのブレークスルー(2つの考え方)
　　　　2.1 加工条件改良型ブレークスルー
       　　　 ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例
　　　　2.2 挑戦型加工によるブレークスルー
           　 将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例
        （ここで登場する加工用基板;SiC,　HD用ガラス、GaN, ダイヤモンド、サファイア、Si, SiO2など）

Ⅴ　三次元実装に関わるCMPとボンディング技術の基本
　　  1．ボンディングの基礎
　　　2．ハイブリッド接合とそれにかかわるCMP技術

Ⅵ　今後の加工技術を捉える
　　―深化するAIと“シンギュラリティ（技術的特異点）”を見据えて―
　　　重要三大加工技術のキーワード
          　　　超精密CMP融合技術、趙薄片化プロセス技術、大口径超精密ボンディング技術

　　□質疑応答□

セミナー講師

九州大学/埼玉大学 名誉教授 ／ ㈱Doi laboratory  土肥 俊郎　氏

セミナー受講料

定価：49,500円（オンライン受講価格：39,600円）

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特典

• 参加者の方からの電話、面談等による直接相談を引き受けます。 
  （事実、このセミナーを通じて数件の相談を受けて、企業紹介・協働研究などへ進化している事例があります。）