プラズマ処理の基礎・薄膜堆積と半導体ドライエッチング技術 入門 ～プラズマの基礎から、プラズマCVD／エッチングまで～

セミナー趣旨

　プラズマという言葉は一般化し、現在では産業の広い分野で日常的に使われている。しかし、プラズマを道具として利用するためには、その物理的な考え方、解析の方法を理解することが重要である。
　本講演では、まず薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられる非平衡プラズマの基礎を学ぶことでその特徴を理解する。後半ではそれらを踏まえて、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置構造、処理条件の最適化法などについて説明する。

習得できる知識

非平衡プラズマの特徴と基礎、プラズマCVDの原理とアモルファスSi製膜の膜質制御の考え方、ドライエッチングの原理と種々のエッチング技術など

セミナープログラム

1. プラズマの基礎
   1. プラズマ中の衝突現象とその定量的な取り扱い
   2. 衝突反応の種類と反応速度定数の考え方
   3. Boltzmann方程式
   4. Boltzmann方程式から得られるプラズマの基礎方程式（拡散方程式、連続の式など）
   5. プラズマの生成（直流放電プラズマ）
   6. プラズマの生成（容量性結合RF放電プラズマ）
   7. プラズマの生成（誘導性結合RF放電プラズマ）
   8. プラズマの生成（大気圧低温プラズマ）
2. プラズマCVD
   1. プラズマCVDの特徴と原理（アモルファスSi薄膜を中心に）
   2. 代表的なプラズマCVD装置
   3. 製膜パラメータの考え方
   4. アモルファスSi堆積条件と高品質化
3. プラズマエッチング
   1. プラズマエッチングの特徴と原理（等方性、異方性）
   2. 代表的なエッチング装置
   3. エッチングダメージ
   4. 終点検出の原理

□質疑応答□

セミナー講師

東京都市大学総合研究所 客員教授　市川 幸美　氏

セミナー受講料

定価：49,500円（オンライン受講価格：39,600円）

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