パワーデバイスの現状と将来展望

49,500 円(税込)

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開催日 12:30 ~ 16:30 
締めきりました
主催者 (株)R&D支援センター
キーワード 電子デバイス・部品   半導体技術
開催エリア 全国
開催場所 【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。 

Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や課題まで分かりやすく解説します!

本セミナーは【LIVE配信】と【アーカイブ配信:4/25~4/30(何度でも視聴可能)】がございます。

セミナー講師

千葉工業大学 電気電子工学科 教授 工学博士 山本 秀和 様
(2022年3月31日までの所属です)

セミナー受講料

【LIVE配信】または【アーカイブ配信】をご希望の方は
非会員 :1名につき 49,500円(税込)
会員  :1名の場合 39,600円(税込)、2名以上同時申込の場合 1名につき 24,750円(税込)
     でご受講いただけます。

【LIVE配信+アーカイブ配信】をご希望の方は
非会員 :1名につき 66,000円(税込)
会員  :1名の場合 55,000円、2名以上の場合 1名につき33,000円(税込)
     でご受講いただけます。

※【LIVE配信+アーカイブ配信】に申込希望の方は備考欄に
【220442 パワーデバイス LIVE+アーカイブ配信申込希望】とご記入をお願いいたします。

(セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
   今回の受講料から会員価格を適用いたします。)
※ 会員登録とは
  ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
  すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切かかりません。
  メールまたは郵送でのご案内となります。
  郵送での案内をご希望の方は、備考欄に【郵送案内希望】とご記入ください。

受講について

本セミナーは
【4/21 LIVE配信】と【アーカイブ配信:4/25~4/30(何度でも受講可能)】がございます。

【LIVE配信の手順】

  1. ZoomにてLIVE配信致します。
    Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
  2. セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
  3. 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールとテキスト(PDF)をお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。
    また、その場ですぐに講師に質問することが出来ます。

【アーカイブ配信の手順】

  1. LIVE配信終了後、アーカイブ配信ご用意が出来次第、セミナー資料と配信URLをご案内いたします。
  2. 視聴期間の間は何度でも繰り返し視聴いただけます。
  3. 視聴期間の間はセミナーの内容に限り、メールにて講師に質問をすることが出来ます。

無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

セミナー趣旨

 パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、現状開発試作品を除くとほぼ100%Siを用いて製造されています。今後も、Siパワーデバイスが主流なのは間違いありません。Siパワーデバイスで主導権を維持するには、製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。一方、Siパワーデバイス性能向上限界説が聞かれるようになり、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、製造プロセスが確立していない、信頼性に不安がある、コストが高い等々、量産化には多くの課題があります。本セミナーでは、パワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について解説します。

受講対象・レベル

・パワーデバイス開発技術者、管理者、営業担当者 

習得できる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスへの期待
・パワーデバイスによる電力変換と高性能化
・パワーチップおよびパワーモジュールの構造
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位

セミナープログラム

1.パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスへの期待
 1-1.パワーエレクトロニクスへの期待
 1-2.パワーデバイスの適用分野
 1-3.パワーデバイスによる電力変換
 1-4.パワーデバイスの高性能化

2.パワーチップおよびパワーモジュールの構造
 2-1.パワーチップの構造
 2-2.パワーモジュールの構造
 2-3.パワーデバイスの製造プロセス

3.Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
 3-1.Siパワーデバイスの技術開発
 3-2.SiCパワーデバイスの技術開発
 3-3.GaNパワーデバイスの技術開発
 3-4.Ga2O3パワーデバイスの技術開発

4.電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
 4-1.日本の電子デバイス盛衰の歴史
 4-2.世界のパワーデバイスの状況
 4-3.日本のパワーデバイスの将来展望

5.まとめ

半導体、パワー、デバイス、モジュール、チップ、ワイドギャップ、SiC、GaN