半導体ドライエッチングの基礎と最新技術
開催日 |
10:30 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | (株)R&D支援センター |
キーワード | 半導体技術 プラズマ技術 |
開催エリア | 全国 |
開催場所 | 【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます |
反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング(PA-ALE)、熱原子層エッチング(thermal ALE)など詳しく紹介します!
セミナー講師
大阪大学 工学研究科 アトミックデザイン研究センター
教授 理学博士・Ph.D. 浜口 智志 氏
セミナー受講料
55,000円(税込、資料付)
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合44,000円、
2名同時申込の場合計55,000円(2人目無料:1名あたり27,500円)で受講できます。
(セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
今回の受講料から会員価格を適用いたします。)
※ 会員登録とは
ご登録いただきますと、セミナーや書籍などの商品をご案内させていただきます。
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受講について
Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順
- Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
- セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。
- 開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。
- セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
- 無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
- 受講にはWindowsPCを推奨しております。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
セミナー趣旨
本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング(RIE)から、近年注目を集める原子層エッチング(ALE)にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積(ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション(DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。
受講対象・レベル
半導体プロセスや関連ガス、材料に関する研究開発・生産製造に携わる方(初心者から中級者まで)
習得できる知識
・エッチング用プラズマ装置の基礎
・プラズマエッチングにおける物質表面化学反応の基礎
・反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング(PA-ALE)、熱原子層エッチング(thermal ALE)の特徴と応用
セミナープログラム
1.背景
2.プラズマ科学の基礎
3.代表的なプラズマプロセス装置
a.容量結合型プラズマ(CCP)装置
b.誘導結合型プラズマ(ICP)装置
4.反応性イオンエッチング(RIE)の基礎
a.プラズマ表面相互作用
b.表面帯電効果
c.シリコン系材料エッチング反応機構
d.金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
e.高アスペクト比(HAR)エッチング概要
5.プラズマCVD概要:原子層堆積(ALD)の基礎として
6.ALDプロセスの概要:原子層エッチング(ALE)の逆過程として
a.熱ALD
b.プラズマ支援(PA-)ALD
7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
a.PA-ALE
b.熱ALE:リガンド交換
c.熱ALE:金属錯体形成
8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX)
9.まとめ
<質疑応答>
スケジュール
10:30~12:00 講義1
12:00~13:00 昼食
13:00~14:30 講義2
14:30~14:45 休憩
14:45~16:00 講義3
16:00~16:30 質疑応答
※進行によって、多少前後する可能性がございます。
※質問は随時チャット形式で受け付けます。休憩時や終了時に音声でも可能です。
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