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期待を集めるGa2O3デバイスの基礎から開発事例、
課題・展望を解説
酸化ガリウム・パワーデバイスの第一人者と、ウエハ製造・デバイス開発に取り組む気鋭の企業が解説!材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどパワーデバイス開発の状況、課題と展望まで。
習得できる知識
- Ga2O3物性の基礎知識
- エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報
- β-Ga2O3単結晶基板、エピタキシャル成長技術の最新動向
- ノベルクリスタルテクノロジー社が進めるβ-Ga2O3ショットキーバリアダイオード製品化の最新状況
セミナープログラム
第1部 「酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向」
【講演趣旨】
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有します。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持ちます。こういった特徴から、SiC、GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのエピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。
【プログラム】
- はじめに
- Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
- 将来的なGa2O3デバイスの用途
- Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
- MBE成長
- HVPE成長
- MOCVD成長
- Ga2O3トランジスタ開発
- 横型フィールドプレートMOSFET
- 横型ノーマリーオフMOSFET
- 横型高周波MOSFET
- 縦型MOSFET
- 海外機関のGa2O3トランジスタ開発動向
- Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
- HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
- 縦型フィールドプレートSBD
- 海外機関のGa2O3ダイオード開発動向
- まとめ、今後の課題
□ 質疑応答 □
第2部 「ノベルクリスタルテクノロジー社における開発の現状と今後」
【講演趣旨】
酸化ガリウム(β-Ga2O3)は、その大きな絶縁破壊電界強度と、高品質な単結晶基板を安価に製造できるという特徴から、次世代のパワーデバイス材料として注目が集まっている。本講演では、当社が開発を進めるβ-Ga2O3単結晶基板、エピタキシャル成長、ショットキーバリアダイオード、トランジスタの最新状況を紹介する。
【プログラム】
- ノベルクリスタルテクノロジーについて
- β-Ga2O3パワーデバイスの魅力
- 単結晶基板、エピタキシャル成長技術
- 4インチ単結晶基板
- 4インチエピタキシャルウェハ
- パワーデバイス応用
- ショットキーバリアダイオード
- トランジスタ
- まとめ
□ 質疑応答 □
セミナー講師
第1部 「酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向」(11:00~14:50) ※12:30~13:20は昼食休憩
(国研)情報通信研究機構 未来ICT研究所 小金井フロンティア研究センター
グリーンICTデバイス研究室 室長 東脇 正高 氏
第2部 「ノベルクリスタルテクノロジー社における開発の現状と今後」(15:00~16:00)
(株)ノベルクリスタルテクノロジー 取締役 CTO 佐々木 公平 氏
セミナー受講料
※お申込みと同時にS&T会員登録をさせていただきます(E-mail案内登録とは異なります)。
49,500円( E-mail案内登録価格46,970円 )
E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で 49,500円 (2名ともE-mail案内登録必須/1名あたり定価半額24,750円)
【1名分無料適用条件】
※2名様ともE-mail案内登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価半額で追加受講できます。
※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
1名申込みの場合:35,200円 ( E-Mail案内登録価格 33,440円 )
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※他の割引は併用できません。
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