【中止】ＳｉＣパワーデバイスの活用に向けた駆動回路、評価技術

セミナープログラム

＜１０：００〜１２：００、１３：００〜１６：００＞
１．SiC-MOSFETパワーデバイスの駆動手法とインバータ応用、評価
(株)エヌソルーション　 間瀬 勝好 氏

【講演ポイント】
　SiCがシリコンよりも優れていると紹介されてから久しくなりますが、その実用化はなかなか進んでいません。
原因は、その価格にあると思われますが、量産が出来るようになればその価格は低下します。
　単純にIGBTからSiC-MOSFETに置き換えが出来ると期待されていますが、現実にはMOSFETであるがための問題点、高速であるが為の問題点があります。
　本講座にて、SiC-MOSFETの問題点及び対策を理解し、受講者の皆様に是非SiC-MOSFETを活用して頂きたいと思います。皆で使えば安くなる。私はそう信じています。

１．メーカによるSiC-MOSFETの違い
２．MOSFETの駆動回路による違い
３．SiC-MOSFET（ディスクリート）の評価事例紹介
４．SiC-MOSFET（モジュール）の評価事例紹介
５．その他（供給メーカとラインアップ）
６．Q&A　

【質疑応答・名刺交換】

＜１６：１０〜１７：１０＞
２．SiCデバイスの使用法と応用例
ローム(株)　大河内 裕太 氏

【講演ポイント】
　SiCデバイスを使いこなすためには、従来のSiデバイスからの単なる置き換えだけでは性能を引き出すことができない。SiCデバイスの特性を把握した上で、最適な周辺回路を設計することが必要となる。
　本講演ではSiCデバイスの使用上の注意点や、SiCデバイスメーカーだからできる応用技術の開発事例について主に紹介する。また既にSiCデバイスを使用している方から、これから検討を始める方まで、SiCの使いこなし方について参考になる情報が提供できると考えている。

１．SiCデバイスの開発動向
２．SiCデバイス使用上の注意点
３．SiCデバイス用高速ゲート駆動回路
４．開発事例紹介①インバータ
５．開発事例紹介②絶縁DCDCコンバータ

【質疑応答・名刺交換】

セミナー講師

１．(株)エヌソルーション 社長 間瀬 勝好 氏
２．ローム(株)　研究開発センター　基幹技術研究開発部　大電力応用技術G
　　グループリーダー 大河内　裕太 氏

セミナー受講料

1名につき55，000円（消費税抜き・昼食・資料付き）　
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき50，000円（税抜）〕