次世代パワーデバイス開発の最前線～Si・SiC・GaN・Ga₂O₃の技術進化と実装課題～

量産課題と将来性から考えるパワーデバイス材料別の技術優位性と産業構造の変化

次世代パワーデバイス開発の全体像を、材料別に整理・比較
技術・市場・業界再編から将来展望までを一挙解説！

■パワーエレクトロニクス産業を支えるパワーデバイスの最新動向を、SiからSiC、GaN、Ga₂O₃まで広く取り上げ、各材料の特徴、技術的優位性、量産化課題、最新の開発動向を詳細に解説します。
また、日本のパワーデバイス産業が直面する競争環境や業界再編の動きにも触れながら、今後の技術・市場の方向性を展望します。初学者にもわかりやすい構成で、研究・開発・事業企画に役立つ内容です。 

 

日時

【ライブ配信(見逃し配信付)】 2026年8月26日（水）13:00～16:30
【アーカイブ配信】 2026年9月11日（金）まで申込み受付（視聴期間：9/11～9/29）
  受講可能な形式：【ライブ配信(見逃し配信付)】or【アーカイブ配信】のみ

【項目】※クリックするとその項目に飛ぶことができます

    セミナー趣旨

    パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い、コストが高い等々、本格的な量産化には多くの課題があります。
    これまで、日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。特に、SiCに復活をかけた日本メーカの思惑はことごとく失敗に終わりました。このままでは、Siを含めて日本のパワーデバイス産業は終焉を迎えかねません。
    本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイス進化の歴史、課題および将来展望について、分かりやすく解説します。日本のパワーデバイスメーカでは、パワーデバイスの復活をかけた再編が開始されつつあります。この取り組みについても、見解を述べます。

    受講対象・レベル

    パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
    ※初心者の受講でも問題ない

    習得できる知識

    ・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
    ・パワーデバイスによる電力変換と用途
    ・Siパワーデバイスの高性能化の歴史
    ・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
    ・パワーデバイス用結晶の特異性
    ・SiCパワーデバイスの優位性と課題
    ・GaNパワーデバイスの優位性と課題
    ・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
    ・パワーデバイス産業の将来展望と日本の復活

    セミナープログラム

    １．パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
    　1.1　パワーエレクトロニクスの重要性
    　1.2　パワーデバイスの用途と産業構造

    ２．パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
    　2.1　パワーデバイスの構造と要求性能
    　2.2　Siパワーデバイスの高性能化

    ３．SiCパワーデバイスの優位性と課題
    　3.1　SiCパワーデバイスの優位性
    　3.2　SiCパワーデバイスの課題

    ４．GaNパワーデバイスの優位性と課題
    　4.1　GaNパワーデバイスの優位性
    　4.2　GaNパワーデバイスの課題

    ５．Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
    　5.1　Ga2O3パワーデバイスの優位性
    　5.2　Ga2O3パワーデバイスの課題

    ６．パワーデバイスの将来展望
    　6.1　パワーデバイス業界の動向
    　6.2　復活をかけた日本のパワーデバイス業界の再編

    □質疑応答□

    セミナー講師

    グリーンパワー山本研究所　所長　山本 秀和　氏　

    専門
    半導体デバイス、半導体結晶

    兼任および経歴
    ・FTB研究所　特別顧問　
    ・パワーデバイスイネーブリング協会　理事
    ・千葉工業大学付属研究所　共同研究員
    ・元 千葉工業大学教授
    ・元 三菱電機パワーデバイス開発部長

    執筆書籍
    「パワーデバイス」（コロナ社）
    「ワイドギャップ半導体パワーデバイス」（コロナ社）、
    「現代電気電子材料」（共著、コロナ社）
    「半導体ＬＳＩ技術」（共著、共立出版）
    「次世代パワー半導体の高性能化と産業展開」（共著、シーエムシー出版）
    「はかる×わかる半導体　パワーエレクトロニクス編」（共著、日経BPｺﾝｻﾙﾃｨﾝｸﾞ）
    「半導体デバイスの不良・故障解析技術」（共著、日科技連出版社）
    「先端パワーデバイス実装技術」（共著、シーエムシー出版）

    セミナー受講料

    49,500円

    定価：本体45,000円＋税4,500円
    E-Mail案内登録価格：本体42,700円＋税4,270円
    E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
    1名分無料適用条件
    ※2名様ともE-Mail案内登録が必須です。
    　2名様以降の受講者は、申込み前にE-Mail案内登録をお済ませください。
    ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
    ※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
    ※請求書（クレジットカード決済の場合は領収書）は代表者にS&T会員マイページにて発行します（PDF）
    ※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
    　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
    ※他の割引は併用できません。
    2名で49,500円 (2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額の24,750円)
     テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】

    1名申込み： 受講料 39,600円(E-Mail案内登録価格 37,840円)
    　定価：本体36,000円＋税3,600円
    　E-Mail案内登録価格：本体34,400円＋税3,440円
    　　※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
    　　※他の割引は併用できません。

    主催者

    開催場所

    全国

    受講について

    配布資料
     PDFテキスト(印刷可・編集不可)
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    ※アーカイブ配信受講の場合は配信開始日(9/11)からダウンロード可となります。

    オンライン配信
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    アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

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    開催日時


    13:00 ～

    受講料

    49,500円（税込）/人

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    ※銀行振込

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