光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価

セミナー趣旨

　ワイドギャップ半導体は高耐電圧・低損失・高温動作といった優れた物性から、Siを超える省エネルギー型パワーデバイス材料として期待されている。特に窒化物半導体では、AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスを利用した高周波パワーデバイスが実用段階に達しているが、さらなる性能向上にはヘテロ構造中に残存する欠陥準位の理解が重要である。
　一方、酸化ガリウム（β‑Ga₂O₃）はGaNやSiCを上回る物性値を持つ次世代パワー半導体として注目され、融液成長による基板の大口径化やデバイス化が進むものの、デバイス特性に直結する欠陥準位の知見は依然として乏しい。
　本セミナーでは、GaNやβ‑Ga₂O₃などのGa系ワイドギャップ半導体における欠陥準位評価手法として光容量分光法(SSPC)の原理を解説し、AlGaN/GaNヘテロ構造やβ‑Ga₂O₃に存在する欠陥準位の評価事例を紹介する。

受講対象・レベル

次世代パワー半導体として期待されるワイドギャップ半導体の研究開発において欠陥準位評価に関心のある若手技術者の方

必要な予備知識

特に予備知識は必要ありません。
従来の評価技術と比較しながら、測定原理から応用例まで解説します。

習得できる知識

次世代パワー半導体の結晶成長･デバイス開発には様々な課題があるが、欠陥準位に関してはバンドギャップが大きくなるほど評価困難になり、光を用いた欠陥準位評価法が必要となる。その欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法を習得できる。

セミナープログラム

1．光容量分光法(SSPC)の測定原理と特徴
　1-1．DLTS法の測定原理
　1-2．光容量分光法(SSPC)の測定原理
　1-3．SSPC微分解析による熱的準位と格子緩和の抽出

2．GaNへの適用例
　2-1．AlGaN/GaNヘテロ構造に存在する欠陥準位
　2-2．p-GaNホモエピ膜に存在する欠陥準位

3．β‑Ga₂O₃への適用例
　3-1．EFG単結晶基板に存在する欠陥準位
　3-2．HVPEホモエピ膜に存在する欠陥準位

スケジュール
13:00～14:30　ご講義
14:30～14:45　小休憩
14:45～16:15　ご講義
16:15～16:30　質疑応答

上記は目安です。進行状況などにより前後する可能性があります。

キーワード
ワイドギャップ半導体,欠陥準位,光容量分光法,β-Ga₂O₃,セミナー

セミナー講師

中部大学　電気電子システム工学科
教授　博士（工学）　中野 由崇氏

【ご専門】
半導体工学 欠陥準位

【ご経歴】
1991年4月　(株)豊田中央研究所　入社
・デバイス部にて車載用Siパワーデバイスの局所ライフタイム制御技術の開発、GaNパワーデバイスの要素技術の開発
・特別研究室にて可視光応答型光触媒の開発
2008月1月　中部大学に転籍
2024年7月－　NEDO 経済安全保障重要技術育成プログラム 「β-Ga2O3ウエハ、パワーデバイス及びパワーモジュールの開発」にてβ-Ga2O3ウエハ欠陥検査技術の開発に従事

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
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・1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。

※LIVE配信とアーカイブ配信（見逃し配信）両方の視聴を希望される場合
　会員価格で1名につき49,500円（税込）、2名同時申込で60,500円（税込）になります。
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主催者

開催場所

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