次世代パワーデバイスの開発と市場動向

セミナー趣旨

2026年現在、AI・クラウド・IoTの急速な普及により、データセンターの電力消費と処理密度はかつてないほどの高水準に達していると言われている。この消費電力削減のためには電源アーキテクチャの革新をもたらす省電力技術が必要不可欠であり、それを実現するための切り札の一つとして、新材料GaN（窒化ガリウム）パワー半導体デバイスの普及が期待されている。一方、xEV向けではSiC市場が踊り場にある中でも、高耐圧・低損失特性により車載インバータ等での採用が徐々に進んでいる。しかしながらGaNパワー半導体デバイスが得意とする電力容量・周波数領域ではシリコンMOSFETが、またSiCが得意な大容量用途ではIGBTが、まだまだ主役として君臨している。本セミナーでは、最強のライバルであるシリコンMOSFET、IGBTからSiC/GaNパワー半導体デバイスの開発技術の現状と今後の動向について、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

習得できる知識

・パワー半導体デバイスの最新技術動向とその市場動向ならびに最新応用動向 
・シリコンパワーデバイスの強みとSiC/GaN パワーデバイスの特長と課題
・SiC/GaNパワー半導体デバイス最新技術動向、酸化ガリウム開発状況

セミナープログラム

1.パワーデバイスの動向と開発のポイント
　1.1 パワーデバイスの適用分野(データセンター・サーバーへの実装, EV/PHV)
　1.2 次世代パワーデバイス開発の位置づけ

2.競合するシリコンパワーデバイス最新技術動向
　2.1 パワー半導体デバイス市場の現在と将来
　2.2 MOSFET、IGBT特性改善を支える技術と次の一手

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
　3.1 半導体デバイス材料の変遷
　3.2 ワイドバンドギャップ半導体材料はなぜパワーデバイスに適している理由
　3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
　3.4 SiC-MOSFET普及拡大のための4つの課題
　3.5 特性改善・信頼性向上のための技術開発

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
　4.1 なぜGaNパワーデバイスはHEMT構造なのか
　4.2 ノーマリ−オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
　4.3 GaN-HEMTの特徴と課題
　4.4 GaN-HEMTの最新技術（高耐圧化）
　4.5 縦型GaNデバイスの最新動向

5.酸化ガリウムパワーデバイスの現状と課題
　5.1 酸化ガリウムとその特徴
　5.2 酸化ガリウムパワーデバイス最新開発状況

6.SiCパワーデバイス実装技術の動向
　6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
　6.2 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
　6.3 接合材について

7.まとめ

【質疑応答】

セミナー講師

筑波大学　数理物質系　教授　博士（工学）　岩室 憲幸 氏

セミナー受講料

1名につき55，000円（消費税込・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込）〕

主催者

開催場所

受講について

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