＜ＡＩサーバ用電源ならびに自動車の電動化に向けた＞シリコン、ＳｉＣ・ＧａＮパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

パワエレ・パワーデバイスの基礎、シリコン、IGBT、SiC、GaN、酸化ガリウムパワーデバイスを俯瞰的に解説！ 

■パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向
■Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
■パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測
■シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術

受講可能な形式：【ライブ配信(見逃し配信付)】のみ
※Zoom見逃し配信（アーカイブ）のみの受講も可。

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    セミナー趣旨

    　2026年、世界はAIデータセンター電源の高効率・大容量化と、自動車電動化（xEV）の再加速に向けて大きく動いている。AIサーバ電源やxEVの性能を左右する中核部品であるパワーデバイスでは、SiC・GaNデバイスが次世代の本命として急速に存在感を高めている。すでに実機搭載も進みつつあり、今後はシリコンMOSFET・IGBTをどこまで凌駕できるかが焦点となる。
    　鍵を握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、新材料デバイスがどのように市場要求へ応えていくかである。本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、さらに注目を集める酸化ガリウム（Ga₂O₃）デバイスの可能性、実装技術、そして市場予測までを、わかりやすくかつ丁寧に解説する。

    習得できる知識

    パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、酸化ガリウムパワーデバイス技術など。

    セミナープログラム

    １．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに？
    　1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
    　1-2 パワー半導体の種類と基本構造
    　1-3 パワーデバイスの適用分野
    　1-4 AIデーターサーバ電源、xEV向けパワーデバイス最近のトピックス
    　1-5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
    　1-6 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
    　1-7 パワーデバイス開発のポイント

    ２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
    　2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
    　2-2 MOSFET特性改善を支える技術
    　2-3 IGBT特性改善を支える技術
    　2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
    　2-5 MOSFET・IGBT特性改善の次の一手
    　2-6 シリコンIGBTの実装技術

    ３．SiCパワーデバイスの現状と課題
    　3-1 半導体デバイス材料の変遷
    　3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
    　3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
    　3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
    　3-5 SiC-MOSFETの勝ち筋
    　3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
    　3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
    　3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
    　3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
    　3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

    ４．GaNパワーデバイスの現状と課題
    　4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
    　4-2 GaNデバイスの構造
    　4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
    　4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
    　4-5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
    　4-6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
    　4-7 縦型GaNデバイスの最新動向

    ５．酸化ガリウムパワーデバイスの現状
    　5-1 酸化ガリウムの特徴は何
    　5-2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況

    ６．SiCパワーデバイス実装技術の進展
    　6-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
    　6-2 銀または銅焼結接合技術
    　6-3 SiC-MOSFETモジュール技術

    ７．まとめ

    　　□質疑応答□​

    セミナー講師

    筑波大学 数理物質系 教授　岩室 憲幸　氏

    ＜主なご経歴・研究内容など＞
    1984年 早稲田大学理工学部卒、1998年 博士（工学）（早稲田大学）
    富士電機株式会社に入社。
    1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
    1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar.　MOS-gate thyristorの研究に従事。
    1999年-2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
    2009 年5月-2013年3月 (国研)産業技術総合研究所。SiC-MOSFET、SBDの研究,量産技術開発に従事。
    2013年4月- 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
    IEEE Senior Member, 電気学会上級会員、応用物理学会会員
    著書・監修多数

    ＜受賞＞
    1 日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード2020　最優秀賞　(2020年12月)
    2 電気学会　第23回優秀活動賞　技術報告賞　(2020年4月)
    3 電気学会　優秀技術活動賞　グループ著作賞(2011年)

    ＜専門＞
    シリコン、SiCパワー半導体設計、解析技術

    セミナー受講料

    55,000円

    定価：本体50,000円＋税5,000円
    E-Mail案内登録なら、2名同時申込みで1名分無料
    1名分無料適用条件
    ※2名様ともE-mail案内登録が必須です。
    　2名様以降の受講者は、申込み前にE-mail案内登録をお済ませください。
    ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
    ※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価の半額で追加受講できます。
    ※請求書(クレジットカード決済の場合は領収書)は、代表者にS&T会員マイページにてPDF発行いたします。
    ※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
    　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
    ※他の割引は併用できません。

      2名で55,000円（2名ともE-Mail案内登録必須​／１名あたり定価半額の27,500円）

     
     テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
     1名申込みの場合：受講料44,000円（E-Mail案内登録価格 42,020円）　
    　定価：本体40,000円＋税4,000円　E-Mail案内登録価格：本体38,200円＋税3,820円
    ※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
    ※お申込みの際、備考欄に【テレワーク応援キャンペーン希望】と記載のうえお申込みください。
    ※他の割引は併用できません。
     
    ■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
    1名で受講の場合：42,020円(税込)　※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合
    2名で受講の場合：55,000円(税込)　※2名同時申込みで1名分無料：1名あたり27,500円(税込)

    主催者

    開催場所

    全国

    備考

    特典
    ■ライブ配信受講に加えて、見逃し配信(アーカイブ)でも１週間視聴できます■
    【見逃し配信の視聴期間】2026年5月22日(金)～5月28日(木)まで
    ※このセミナーは見逃し配信付です。セミナー終了後も繰り返しの視聴学習が可能です。 

    見逃し配信(アーカイブ)について：
    ライブ配信受講を欠席し、見逃し配信視聴のみの受講も可能です。
    ※視聴期間は終了翌日から7日間を予定しています。また録画データは原則として編集は行いません。
    ※マイページからZoomの録画視聴用リンクにてご視聴いただきます。

    配布資料
    PDFテキスト(印刷可・編集不可)
    ※開催2日前を目安に、弊社HPのマイページよりダウンロード可となります。

    オンライン配信
    ZoomによるLive配信　►受講方法・接続確認（申込み前に必ずご確認ください）
    アーカイブ配信　►受講方法・視聴環境確認（申込み前に必ずご確認ください）

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    開催日時


    10:30 ～

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