AIデータセンターサーバ用電源ならびに自動車の電動化にむけたパワー半導体デバイスの最新技術動向と今後の展開

セミナー趣旨

2026年現在、AI・クラウド・IoTの急速な普及により、データセンターサーバ用電源の電力消費と処理密度はかつてないほどの高水準に達していると言われている。

この消費電力削減のためには電源アーキテクチャの革新をもたらす省電力技術が必要不可欠であり、それを実現するための切り札の一つとして、新材料GaN（窒化ガリウム）パワー半導体の普及が期待されている。

さらに、現在踊り場にあると言われている自動車の電動化(xEV)に関しても、その中核部品であるSiCパワー半導体の技術動向が、業界再編の動きを含めて、最近再び注目されてきた。

カギを握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、SiC・GaNパワー半導体デバイスがどのように市場要求へ応えていくかにかかっている。

本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、今後の市場予測を含め、最強のライバルであるシリコンMOSFETやIGBTの動向と対比させながら、わかりやすくかつ丁寧に解説する。

受講対象・レベル

パワー半導体デバイスならびに実装の最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術などをお知りになりたい方は奮ってご参加ください。

セミナープログラム

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワー半導体の種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 AIデータセンターサーバ用電源、xEV向けパワーデバイス最近のトピックス
 1-5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
 1-6 ノーマリ－オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
 1-7 パワーデバイス開発のポイント

２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
 2-1 パワーデバイス市場の現在と将来
 2-2 MOSFET特性改善を支える技術
 2-3 IGBT特性改善を支える技術
 2-4 IGBT薄ウェハ化の限界
 2-5 MOSFET・IGBT特性改善の次の一手
 2-6 シリコンIGBTの実装技術

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 半導体デバイス材料の変遷
 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
 3-3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
 3-4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
 3-5 SiC-MOSFETの勝ち筋
 3-6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
 3-7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
 3-8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
 3-9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
 3-10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

４．GaNパワーデバイスの現状と課題
 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
 4-2 GaNデバイスの構造
 4-3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
 4-4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
 4-5 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
 4-6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
 4-7 縦型GaNデバイスの最新動向

５．SiCパワーデバイス実装技術の進展
 5-1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
 5-2 銀または銅焼結接合技術
 5-3 SiC-MOSFETモジュール技術

６．まとめ


※申込状況により、開催中止となる場合がございます。
※講師・主催者とご同業の方のご参加はお断りする場合がございます。
※録音、録画・撮影・お申込者以外のご視聴はご遠慮ください。

セミナー講師

国立大学法人　筑波大学　数理物質系　教授
岩室敬之 氏

１９８４年早稲田大学理工学部卒、１９９８年同大学院　工学博士。その後、富士電機株式会社に入社。
１９８８年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、ＩＧＢＴ、ならびにＷＢＧデバイス研究、開発、製品化に従事。また１９９２年Ｎｏｒｔｈ　Ｃａｒｏｌｉｎａ　Ｓｔａｔｅ　Ｕｎｉｖ．　Ｖｉｓｉｔｉｎｇ　Ｓｃｈｏｌａｒ．　ＭＯＳ－ｇａｔｅ　ｔｈｙｒｉｓｔｏｒの研究に従事。
１９９９年－２００５年　薄ウェハ型ＩＧＢＴの製品開発に従事。
２００９年５月－２０１３年３月　産業技術総合研究所。ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ、ＳＢＤの研究，量産技術開発に従事。
２０１３年４月－　国立大学法人　筑波大学　教授。現在に至る。

著書：
１．「パワエレ技術者のためのＳｉＣパワー半導体デバイス」（科学情報出版，　２０２４年２月）
２．「車載機器におけるパワー半導体の設計と実装」　（科学情報出版，　２０１９年９月）
３．　“Ｓｐｒｉｎｇｅｒ　Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｄｅｖｉｃｅｓ”　Ｅｄｉｔｏｒ　Ｍ　Ｒｕｄａｎ　ｅｔ　ａｌ．，　Ｃｈａｐｔｅｒ　“Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｐｏｗｅｒ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　担当執筆，　Ｓｐｒｉｎｇｅｒ　Ｎａｔｕｒｅ，　２０２３．　
４．“Ｗｉｄｅ　Ｂａｎｄｇａｐ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｐｏｗｅｒ　Ｄｅｖｉｃｅｓ”　Ｅｄｉｔｏｒ　Ｂ．Ｊ．Ｂａｌｉｇａ，　Ｃｈａｐｅｒｔ　

１．日経エレクトロニクス　パワーエレクトロニクスアワード２０２０　最優秀賞　（２０２０年１２月）
２．電気学会　第２３回優秀活動賞　技術報告賞　（２０２０年４月）
３．電気学会　優秀技術活動賞　グループ著作賞（２０１１年）

セミナー受講料

1名につき　
会員　44,000円（本体　40,000円）　 一般　48,400円（本体　44,000円）

※会員価格適用については、企業研究会会員が対象となります。
（所属先の会員登録有無がわからない場合、お申込みの際に備考欄へ「会員登録確認希望」とご記入ください。）
※最少催行人数に満たない場合には、開催を中止させて頂く場合がございます。
※お申込後のキャンセルは原則としてお受けしかねます。お申込者がご出席いただけない際は、代理の方のご出席をお願い申し上げます。

主催者

開催場所

受講について

視聴用アカウント・セミナー資料は、原則として開催1営業日前までにメールでお送りいたします。
※最新事例を用いて作成する等の理由により、資料送付が直前になる場合がございます。