半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向
■フォトレジストの基本原理（光化学反応・溶解性）
■ポジ型／ネガ型レジスト
■レジストとSi基板の密着性向上
■レジストの現像特性と評価
■HMDS処理と感度・現像特性への影響
■EUVリソグラフィの特徴と課題
■EUV・メタルレジスト材料の動向
■PFAS規制の影響とPFASフリーレジストの開発動向
受講可能な形式：【ライブ配信】or【アーカイブ配信】のみ
【第1部】「レジスト材料・プロセスの評価」
レジストの基本原理から材料設計、Si基板との密着性、現像特性評価、プロセス最適化までを解説し、レジスト材料・プロセスの考え方を紹介します。
【第2部】「EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響」
量産適用が進むEUVリソグラフィ技術に焦点を当て、EUVレジスト特有の課題や材料開発の最新動向、メタルレジストの可能性を解説します。
さらに近年注目されるPFAS規制がレジスト材料に与える影響と、PFASフリー材料の開発動向についても紹介します。
基礎から最新技術・規制動向までを一日で俯瞰・習得でき、若手研究者から実務担当者まで幅広く役立つ内容です。
セミナー趣旨
本セミナーでは、レジスト材料・プロセスの最適化について紹介する。
半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上にトランジスタを形成している。特に、微細素子のパターニングに用いられるレジストの剥離プロセスにおいては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を大量に使用する。
【第2部】
３０年にもおよんだ長い検討期間を経て、ついに２０１９年EUVリソグラフィが量産適用された。しかしながら、適用された各技術は序章、課題山積であり６年を経過した今なおレジストメーカーによる活発な開発が行われている。
本セミナーでは、EUVフォトレジスト材料に関し、その特有の課題の解説および各種材料の最新動向を解説するとともに、近年話題となっているPFAS規制のレジストへの影響に関し解説する。
受講対象・レベル
・ レジスト材料研究開発を始めたばかりの方から、ある程度の研究経験を経た方。
・ 業務に活かすため、レジストについての知見を得たいと考えている方
・ レジストに取り組んでいるが、感度、解像度、基板とも密着性のような課題があり困っている方
・本テーマに関心ある化学材料メーカーや周辺部材メーカーの方々。
分かりやすく解説するので、若手研究者やマーケティング担当、新規分野探索担当の方、さらには新人教育資料にも適。予備知識は不要。
※本セミナーは、日本国内在住の方を対象としております。
※海外からのアクセス・受講はご遠慮いただいております
習得できる知識
・レジストの基礎知識
・レジスト材料のノウハウ
・レジストプロセスのトラブル対処法
・リソグラフィー技術のビジネス動向
・リソグラフィとフォトレジスト材料の基礎と歴史
・ＥＵＶレジスト開発の現状。
セミナープログラム
「レジスト材料・プロセスの評価」
大阪公立大学 教授 堀邊 英夫 氏
１．半導体とレジストについて
1.1 半導体の微細化
1.2 電子デバイスの製造工程
1.3 レジスト解像度とレジスト材料の変遷
1.4 半導体プロセスにおける各種レジスト
1.5 レジストに要求される特性
２．レジストの基本原理
2.1 レジストの基本原理（光化学反応）
2.2 レジストの現像特性（溶解性）
2.3 リソグラフィー工程とポジ/ネガ型レジスト
2.4 i線/g線用ノボラック系ポジ型レジスト
2.5 KrF用，ArF用レジスト（化学増幅型）
2.6 レジストの解像度向上
３．レジストとSi基板との密着性について
3.1 レジストの密着性の向上
3.2 HMDSの感度特性への影響
４．ノボラック系ポジ型レジストの現像特性について
4.1 レジストの現像特性の評価
4.2 レジストの分子量と溶解特性の関係
4.3 レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
4.4 プリベーク温度を変えたレジストの現像特性
4.5 PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストの現像特性評価
□質疑応答□
「EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響」
株式会社日立ハイテク 藤森 亨 氏
１．リソグラフィ微細化の歴史
1.1 リソグラフィ概要
1.2 露光波長短波化による微細化の歴史
1.3 それをささえるフォトレジスト材料の進化
２．EUVリソグラフィ
2.1 歴史、反応機構の特徴
2.2 EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か？
2.3 化学増幅型レジストによる高性能化
2.4 メタルレジストとは？その特徴と例
３．PFAS規制の影響
3.1 PFAS規制とは
3.2 PFAS規制のレジスト材料への影響
3.3 PFAS freeレジストの開発動向
□質疑応答□
セミナー講師
教授 博士(工学) 堀邊 英夫 氏
[ご専門]
高分子物性（フィラー分散高分子の電気特性、PVDFの結晶構造制御、レジスト材料・プロセス、活性種とポリマーとの反応性）
株式会社日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 事業戦略本部 主任技師
藤森 亨 氏
[ご専門]
有機化学、有機合成化学、リソグラフィ材料とプロセス
MNCプログラムコミッティ パターンマテリアルズセクションヘッド
IWAPS International Advisory Committee Members
JJAP, ACS, JVST 論文審査官
セミナー受講料
55,000円
1名分無料適用条件
2名様以降の受講者は、申込み前にE-Mail案内登録をお済ませください。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名様以上の同時申込みのみ適用いたします。
※請求書（クレジットカード決済の場合は領収書）は代表者にS&T会員マイページにて発行します（PDF）。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
2名で55,000円 (2名ともE-Mail案内登録必須／１名あたり定価半額の27,500円)
| テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 |
1名申込みの場合：受講料 44,000円(E-Mail案内登録価格 42,020円 )
定価：本体40,000円＋税4,000円
E-Mail案内登録価格：本体38,200円＋税3,820円
※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みの際、備考欄に【テレワーク応援キャンペーン希望】と記載のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。
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■■■受講人数ごとのお申込み例■■■
1名で受講の場合：42,020円(税込) ※テレワーク応援キャンペーン/E-mail案内登録の場合2名で受講の場合：55,000円(税込) ※2名同時申込みで1名分無料：1名あたり1名あたり27,500円(税込) |
主催者
開催場所
全国
備考
配布資料
製本テキスト(開催日の4、5日前に発送予定)
※開催まで4営業日～前日にお申込みの場合、
セミナー資料の到着が開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
Zoom上ではスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
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