リソグラフィ技術の基礎およびEUVリソグラフィ・レジスト周辺技術と展望【LIVE配信・WEBセミナー】

セミナー趣旨

フォトリソグラフィ技術の進化は、半導体集積回路の集積度向上を支えてきました。最先端の極端紫外線（EUV）リソグラフィによって20nm以下の線幅まで解像可能となり、微細化による半導体製品の高性能化のトレンドは継続するとみられます。しかし、EUVリソグラフィには特有の課題があり、EUV光源やレジスト材料等の高度化が進められています。

　本講演では、微細加工技術の基礎から始まり、フォトリソグラフィ技術の原理や特長、さらに最新のEUVリソグラフィ技術について、光と物質の相互作用に基づいて詳しく解説します。EUVリソグラフィの装置やレジスト、フォトマスクなどの要素技術から応用事例までを網羅し、最後にフォトリソグラフィ技術の課題と今後の展望について紹介します。これにより、微細加工分野における最先端技術の理解を深めていただくことを目的としています。

習得できる知識

①リソグラフィの物理・評価技術
②レジストの感光原理
③半導体デバイス技術

セミナープログラム

【講演のポイント】

　本講演は、物性物理学を専門とし半導体メーカーでのデバイス開発経験を持つ講演者が、EUVリソグラフィ技術の原理や課題を物理学に基づき解説します。物質と光の相互作用を講演の基軸に置き、EUVリソグラフィの利点や課題を基礎から理解することを助けます。

【講演キーワード】

　半導体、微細加工、EUVリソグラフィ、レジスト

【プログラム】

1. 微細加工技術
　1.1 微細加工の基礎
　1.2 微細加工パターンの評価手法
　　1.2.1 光学顕微鏡
　　1.2.2 電子顕微鏡
　　1.2.3 プローブ顕微鏡

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2. フォトリソグラフィの基礎
　2.1 フォトリソグラフィ技術の原理
　2.2 フォトリソグラフィの特長
　2.3 フォトリソグラフィの歴史
　2.4 フォトリソグラフィ技術の材料

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3. EUVリソグラフィ技術の基礎
　3.1 EUVリソグラフィ装置
　3.2 EUV露光の物理
　3.3 EUVレジスト
　　3.3.1 化学増幅型レジスト
　　3.3.2 非化学増幅型レジスト
　　3.3.3 メタルレジスト
　　3.3.4 その他のレジスト
　3.4 レジスト周辺材料
　3.5 EUVフォトマスク
　　3.5.1 EUVマスクブランクス
　3.5.2 EUVペリクル

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4. EUVリソグラフィ技術の応用事例
　4.1 GAAトランジスタ

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5．フォトリソグラフィ技術の課題と展望

【質疑応答】

※当日以外のアーカイブ視聴をご希望の方は、お申込みの備考欄に『当日以外のアーカイブ視聴希望』をご記入ください
※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません
※前日のお申込みでも、対応させていただきます

セミナー講師

東京大学　 大学院新領域創成科学研究科　 藤原　弘和　氏

セミナー受講料

●1名様　　：45,100円（税込、資料作成費用を含む）
●2名様以上：16,500円（お一人につき）
　※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません

主催者

開催場所