クライオエッチングの反応メカニズムと高アスペクト比加工技術

★アスペクト比の増加で注目を集める次世代のエッチング技術！
　その導入の背景、原理・反応プロセス、エッチング性能、最新の加工事例まで詳解

 

 

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    セミナー趣旨

    半導体集積回路デバイスの製造において、プラズマを用いた微細加工、すなわちプラズマエッチングは不可欠なプロセス技術である。トランジスタ、DRAM、NANDに代表されるデバイスでは、従来の微細化および高積層化（スケーリング）が進められてきた。しかし近年、既存技術には物理的・技術的な限界が顕在化しつつある。そこで、基板温度を極低温領域まで低下させ、ウェハ表面における反応種の物理吸着および表面拡散を制御するクライオエッチング（cryogenic etching）が注目されている。本講演では、プラズマエッチングの基本原理から、クライオエッチング導入の背景、反応メカニズムの解明、ならびに最新の研究動向について解説する。

    習得できる知識

    プラズマプロセス分野以外の方でも理解しやすいよう、ドライエッチングの基礎原理と知識から解説する。ドライプロセスの要件を理解することより、高アスペクトエッチング、クライオエッチングの原理と各分野への応用を説明する。最後、クライオエッチングの反応メカニズムと最新動向を紹介する。

    セミナープログラム

    １．エッチング加工とは
    　1.1 等方性エッチング
    　1.2 異方性エッチング

    ２．ドライプロセスエッチング
    　2.1 低温プラズマの基礎原理と知識
    　2.2 プラズマエッチングと装置
    　2.3 プラズマエッチングメカニズム
    　2.4 高アスペクトエッチング

    ３．クラオイエッチング
    　3.1 クラオイエッチングとは
    　3.2 クラオイエッチングの基礎原理
    　3.3 クラオイエッチングの応用例

    ４．クラオイエッチングによる高アスペクト比加工
    　4.1 クライオシリコン深掘エッチング
    　4.2 クライオチャネルホール深掘エッチング

    ５．クラオイエッチングの反応メカニズムと加工技術の最新動向
    　5.1 クラオイエッチングにおける気相反応
    　5.2 クラオイエッチングにおける表面反応
    　5.3 クライオ原子層エッチング


    【質疑応答】

     
     

     

     

    セミナー講師

    名古屋大学　低温プラズマ科学研究センター　特任教授　博士(工学)　蕭 世男(シャオ シーナン) 氏



    セミナー受講料

    1名につき49，500円（消費税込・資料付き）
    〔1社2名以上同時申込の場合1名につき44，000円（税込）〕

    主催者

    開催場所

    全国

    受講について

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    開催日時


    13:00 ～

    受講料

    49,500円（税込）/人

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    ※銀行振込

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