プラズマの基礎特性と半導体成膜、エッチングでの応用技術

★ プラズマの生成機構は？ CVDやエッチングの原理、処理条件の最適化法を詳解！

 

【Live配信】２０２６年３月４日（水）　１３：００～１６：３０
【アーカイブ（録画）配信】２０２６年３月１３日まで受付（視聴期間：３月１３日～３月２３日まで）

 

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    セミナー趣旨

    プラズマはLSIをはじめとした半導体デバイスを作製する上で、必須のツールになっています。しかし、半導体プロセスに用いられるプラズマの原理や基礎について系統的に学ぶ機会は少ないと思います。今後も半導体製造プロセスにプラズマを利用して最先端のデバイスを生産していくためには、その物理的な考え方、特徴の基礎を理解することが不可欠になります。そこで、本講座では、まず前半で薄膜堆積やエッチングに用いられるプラズマ（非平衡プラズマと呼ばれる）の特徴や生成機構について解説します。後半ではそれらを踏まえ、プラズマCVDやドライエッチングの特徴、原理、装置の構造、処理条件の最適化法などについて解説します。 

    習得できる知識

    ・半導体プロセスに用いられるプラズマの原理と特徴
    ・成膜に用いられるプラズマCVDの原理や基本的な装置構造
    ・ドライエッチングの原理や基本的な装置構造

    セミナープログラム

    1.プラズマの基礎
    　1.1 プラズマとは
    　1.2 気体分子運動論の基礎
    　1.3 電子‐分子の衝突反応の種類と基礎理論
    　1.4 プラズマの基礎方程式（拡散方程式、連続の式など）
    　1.5 両極性拡散理論を用いた基礎方程式の単純化
    　1.6 プラズマの生成と特性（直流放電プラズマ）
    　1.7 プラズマの生成と特性（容量性結合RF放電プラズマ）
    　1.8 プラズマの生成と特性（誘導性結合RF放電プラズマ）
    　1.9 プラズマの生成と特性（大気圧プラズマ）

    2.プラズマCVD
    　2.1 解離衝突反応とラジカル生成
    　2.2 Franck-Condonの原理
    　2.3 プラズマCVDの特徴と原理（アモルファスSi薄膜を中心に）
    　2.4 製膜パラメータの考え方
    　2.5 アモルファスSi堆積条件と高品質化

    3.プラズマエッチング
    　3.1 プラズマエッチングの特徴と原理（等方性、異方性）
    　3.2 代表的なエッチングガス
    　3.3 エッチングレート、選択比の制御例エッチングダメージ
    　3.4 エッチング装置の種類と特徴
    　3.5 エッチングダメージ
    　3.6 終点検出の原理


    【質疑応答】

     
     

     

     

    セミナー講師

    東京電機大学大学院　非常勤講師　工学博士　市川 幸美 氏



    セミナー受講料

    1名につき49，500円（消費税込・資料付き）
    〔1社2名以上同時申込の場合1名につき44，000円（税込）〕

    主催者

    開催場所

    全国

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    開催日時


    13:00 ～

    受講料

    49,500円（税込）/人

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    ※銀行振込

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