Cu/Low-k配線の基礎と2nm世代以降の配線に向けた新材料、新構造、新プロセスの最新研究開発動向【LIVE配信・WEBセミナー】

セミナー趣旨

【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】

■本セミナーの主題および状況（講師より）

★近年、AIの急速な進展と応用の拡がりによって、それを支える先端半導体が世界的に注目されています。

★先端半導体では、さらなる集積度の向上が求められていますが、2nm世代以降の微細配線では、従来のCu/Low-k配線による限界が見え始め、Ru/Airgapなどの新材料/新構造、裏面配線等の研究開発が盛んに行われています。

■注目ポイント

★集積回路配線の歴史と基礎知識を解説！

★Cu/Low-k配線の製造工程の基礎知識や配線信頼性の基礎知識（EM, SIV, TDDBなど）について解説！

★Cuに代わる先端配線材料の研究開発の進め方の要点とは！？

【講演主旨】

　近年、AIの急速な進展と応用の拡がりによって、それを支える先端半導体が世界的に注目されている。先端半導体では、さらなる集積度の向上が求められているが、2nm世代以降の微細配線では、従来のCu/Low-k配線による限界が見え始め、Ru/Airgapなどの新材料/新構造、裏面配線等の研究開発が盛んに行われている。
　本セミナーでは、現在使われているCu/Low-k配線の基礎から、2nm世代以降の配線に向けた新材料、新構造や新プロセスの最新研究開発動向を解説する。

習得できる知識

・集積回路配線の歴史と基礎知識
・Cu/Low-k配線の製造工程の基礎知識
・配線信頼性の基礎知識（EM, SIV, TDDBなど）
・Cuに代わる先端配線材料の研究開発の進め方の要点

セミナープログラム

【プログラム】

1.　集積回路配線の基礎知識
　1）配線の微細化と3D化が求められる背景
　2）配線の役割と性能指標
　3）配線信頼性の基礎（寿命予測, EM, SIV, TDDB）
　4）Cu/Low-k配線プロセス

2.　2nm以降半導体に向けた配線の材料・構造・プロセス
　1）2nm以降半導体に向けた配線の課題
　2）Cu配線の延命
　3）Cu代替配線配線材料（Ru, Mo, その他）
　4）2nm以降の配線信頼性
　5）新構造とプロセス

【質疑応答】

【キーワード】

先端半導体、2nm以降、微細配線、Backside Power Delivery Network（BSPDN）、Cu/Low-k、ルテニウム（Ru）、エアギャップ（AG）、配線信頼性、新配線材料、低抵抗、高信頼

【講演のポイント】

AI半導体で注目される先端半導体の配線技術について、現在使用されているCu/Low-k配線の構造、プロセス、性能指標などの基礎から、2nm以降に向けた最先端の新材料配線等の研究動向まで、わかりやすく説明します。

セミナー講師

芝浦工業大学　 名誉教授　 上野　和良　氏

セミナー受講料

【1名の場合】45,100円(税込、資料作成費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。