物理学で理解するEUVリソグラフィの基礎・応用・課題と将来展望

セミナー趣旨

　生成AIの登場により、半導体製品に対する需要は堅調に高まっています。集積回路中のトランジスタ数の増加速度を予測する「ムーアの法則」の終焉が指摘されるようになってから久しいですが、昨年には高NA-EUV露光装置が半導体デバイスメーカーに納品され、半導体の高密度化のトレンドは今後も続くと見られます。
　本セミナーでは、微細加工技術のキモとも言えるフォトリソグラフィについて、従来技術および先端EUVリソグラフィについて、物理学的な視点で基礎を解説します。EUV露光装置およびEUV光とレジストとの相互作用について特に詳しく解説します。加えて、EUVリソグラフィの応用事例や課題、課題解決に向けた最近の取り組みについて紹介します。

セミナープログラム

　1　微細加工技術
　　　1.1　トランジスタの変遷
　　　1.2　微細加工技術の基礎
　　　1.3　微細加工パターンの評価手法

　2　フォトリソグラフィの基礎
　　　2.1　フォトリソグラフィ技術の原理
　　　2.2　フォトリソグラフィの歴史
　　　2.3　フォトリソグラフィの特徴
　　　2.4　レジスト材料り

　3　EUVリソグラフィの基礎
　　　3.1　装置構成
　　　　3.1.1　EUV光の発生原理
　　　　3.1.2　光学系
　　　　3.1.3　レジストとEUV光の相互作用
　　　3.2　EUV露光システムの特徴
　　　3.3　EUVリソグラフィ材料
　　　　3.3.1　EUVレジスト
　　　　3.3.2　EUVレジスト周辺材料
　　　　3.3.3　EUVフォトマスク
　　　　3.3.4　EUVペリクル

　4　EUVリソグラフィの応用事例
　　　4.1　GAAトランジスタ

　5　EUVリソグラフィの課題と展望
　　　5.1　最新のEUVリソグラフィのパフォーマンス
　　　5.2　EUV光源開発の取り組み紹介
　　　5.3　EUVレジスト開発の取り組みの紹介
　　　5.4　レジスト検査技術開発の取り組みの紹介
　

セミナー講師

藤原弘和（ふじわらひろかず）　氏　 　　　
東京大学大学院　新領域創成科学研究科　特任助教（博士(理学)）
＜経歴＞ 　
岡山大学大学院自然科学研究科数理物理科学専攻を修了後、2019年4月より、東芝メモリ株式会社（現キオクシア株式会社）にてアモルファス酸化物半導体をチャネルに用いた薄膜トランジスタの開発に従事。2021年4月より、東京大学にてレーザー励起光電子顕微鏡の半導体産業応用およびそれを使った動作中の電子デバイスの研究に従事。現在に至る。

セミナー受講料

お1人様受講の場合 　51,700円[税込]／1名 　　　　　
1口でお申込の場合　 66,000円[税込]／1口（3名まで受講可能）

受講について

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