半導体パッケージ基板に向けたＴＧＶ・ＴＳＶ技術の基礎とガラス基板などとの密着性向上に向けた課題

セミナープログラム

【第1講】 半導体実装基板のＴＧＶ・ＴＳＶ技術の基礎と課題
【時間】 13:00-14:15
【講師】NPOサーキットネットワーク　理事　事務局長　大久保 利一　氏

【講演主旨】
AI（人工知能）はこれからの社会の必須技術です。AIを動かす半導体を実装し、うまく繋いで能力を引き出すため、いろいろな基板が開発されています。そこでは基板を貫通した短い配線を形成するためTSV,TGVという貫通電極技術が使われています。このセミナーでは、そのようなAIで使われる先端半導体実装基板をいろいろ紹介し、そこに使われている銅めっきによるTSV,TGV形成技術を解説します。

【プログラム】
１　最近の先端半導体実装基板
 　1-1 チップレット
 　1-2 CoWoS (Chip on Wafer on Substrate)
 　1-3 シリコンインターポーザ
 　1-4 ファンアウトパッケージ（FO-WLP, FO-PLP)
 　1-5 ガラス基板
 　1-6 ブリッジインターポーザ
 　1-7 私見　さて、どれが伸びる？

2　 TSV,TGVの形成法
　2-1　TSV　(Through Silicon Vias)
　2-2　TGV (Through Glass Vias)
　2-3 フィルドビア電解銅めっき技術

【質疑応答】

【講演キーワード】
「半導体　基板が無ければ　ただの石」、「AIも　めっきがなければ　動かない」、 
チップレット、CoWoS、シリコンインターポーザ、ファンアウトパッケージ、ガラス基板

【講演ポイント】
社会人になってからずっと４０年超にわたり、日本鉱業（現、ＪＸ金属），凸版印刷でエレクトロニクス実装基板とその材料・プロセスの開発に従事。特に、その基盤プロセス技術であるめっき技術の研究開発に携わった。定年後もNPO C-NETで、引き続きエレクトロニクス実装基板に関する調査活動を継続中。 半導体パッケージ基板関連技術の教科書ともいえる書籍「とことんやさしい半導体パッケージ実装と高密度実装の本」「とことんやさしい半導体パッケージとプリント配線板の材料の本」「とことんやさしいプリント配線板の本（第２版）」の著者（共著）。

【習得できる知識】
・先端半導体実装基板には、どのようなものがあるか （チップレット、CoWoS、シリコンインターポーザ、ファンアウトパッケージ、ガラス基板、ブリッジインターポーザなど） ・TSV,TGVをどのように形成するか ・TSV,TGV形成のためのフィルドビア電解銅めっき技術

【第2講】 めっきプライマーのガラス貫通基板への適用」
【時間】 14:30-15:45
【講師】株式会社イオックス　研究開発部　複合材料グループ　グループ長　　中辻 達也　氏

【講演主旨】
半導体パッケージ基板のサブストレート、インターポーザーとして樹脂、シリコンからガラスへの代替が注目されている。
ガラスは基板材料とし優れた特性を持つ一方、低粗度、低CTE、高Tgであるため、導電層の密着性を確保することが難しい。近年、様々な導電化工法が提案されている中、当社ではめっきプライマーによるシード層形成方法を提案している。本講演では現行技術の課題とめっきプライマーの優位性について紹介する。また、部品内蔵基板、ビルドアップフィルムなどガラス基板の周辺技術への適用例についても紹介する。

【プログラム】
１．めっきプライマーについて
　1.1　構成要素
　1.2　優位性
　1.3　活用事例

２．ガラス貫通基板について
　2.1　ガラス貫通基板の必要性
　2.2　ガラス基板と樹脂基板の比較
　2.3　ガラス基板の技術動向

３．めっきプライマー「メタロイド」 のガラスへの適用
　3.1 メタロイドの密着原理
　3.2 密着性、耐熱性
　3.3　平滑性、寸法安定性
　3.4　光学特性、誘電特性
　3.5　絶縁信頼性、相関密着性
　3.6　ガラス貫通基板への適用

４．めっきプライマーの半導体基板周辺技術への適用
　4.1　ビルドアップフィルム
　4.2 beyond5G、6Gなどの高速通信
　4.3 部品内蔵基板
　4.4 ハイブリッドボンディング
　4.5 光電融合

【質疑応答】

【講演キーワード】
ナノ粒子、塗料、めっき、ガラスコア、TGV、半導体パッケージ基板、部品内蔵基板、5G、６G、光電融合

【講演ポイント】
半導体パッケージ向けガラス基板の動向、特に導電層形成プロセスについての課題と当社のめっきプライマーによる取り組みについて紹介する。
また、ガラス基板周辺技術について、メタロイドによる応用例と優位性について紹介する。

【習得できる知識】
半導体パッケージ向けガラス基板の動向
ガラス基板への導電化工法
ガラス基板の周辺技術

【第3講】 TSVおよびTGV用硫酸銅めっきプロセスと課題
【時間】 16:00-17:15
【講師】株式会社JCU　総合研究所 執行役員 副所長兼電子技術開発部長　大野　晃宜　氏

【講演主旨】
近年、人工知能（AI）や高機能モバイル端末の普及により、より高い計算性能や多種多様な機能を統合した高機能デバイスが求められている。これらを実現するために日々、半導体技術の微細化技術は「ムーアの法則」にのっとり発展をしてきた。しかしながら昨今では、半導体の微細化が物理的な限界を迎えつつあり、さらなる性能向上を目的にパッケージング技術と新しい材料の技術を組み合わせる“Advanced Packaging（アドバンスドパッケージング）”と呼ばれる技術が注目されている。
本講演では、“Advanced Packaging”技術の中の2.XDおよび3D構造に必要な”TSV”および”TGV”用の硫酸銅めっきに着目し解説する。

【プログラム】
１．Advanced Packaging技術の必要性
２．TSV用硫酸銅めっき
３．TGV用硫酸銅めっき

【質疑応答】

【講演キーワード】
半導体後工程、Advanced Packaging、3D、2.xD、インターポーザ、RDL、TSV、TGV、Pillar、ハイブリット接合、硫酸銅めっき

【講演ポイント】
半導体後工程のAdvanced Packaging技術の中に2.xDや3D構造があり、その中にTSVおよびTGVの使用が見込まれている。そのTSVおよびTGVには硫酸銅めっきで充填することを目的としているが、電気化学的に硫酸銅めっきプロセスの違いにおける充填性の比較を解説する。

【習得できる知識】
・Advanced Packaging技術における表面処理（硫酸銅めっき）に関する知識
・電気化学的に硫酸銅めっきプロセスの違いにおけるTSVおよびTGVの充填性の比較を解説する。

セミナー講師

第1部　 NPOサーキットネットワーク　 理事　事務局長　 大久保 利一　氏

【経歴】
1980 年大阪大学工学部卒業。1982 年大阪大学大学院工学研究科修士課程修了。同年日本鉱業（株）（現、ＪＸ金属（株））入社。
1999 年までリードフレーム、銅箔、プリント配線板、ＭＣＭ、ＢＧＡ等電子回路基板の製造技術（主にめっき技術）に関する研究開発に従事。その間、1987 〜8 年Case Western Reserve University（ClevelandOH,USA）で研究活動。
1999年凸版印刷（株）に移籍し、引き続き電子回路基板の製造技術（主にめっき技術）に関する研究開発に従事。2022 年定年退職。
この間、大阪府大の社会人ドクターコースに入り2007 年に博士（工学）を取得。
また、2008〜2013年には、ASETドリームチッププロジェクトに参加。
委員：NPO 法人サーキットネットワーク理事　事務局長
【専門内容】
電子基板のめっき技術 

第2部　 株式会社イオックス　 研究開発部　複合材料グループ　グループ長　　 中辻 達也　氏

 
第3部　 株式会社JCU　 総合研究所 執行役員 副所長兼電子技術開発部長　 大野　晃宜　氏

セミナー受講料

●1名様　　：49,500円（税込、資料作成費用を含む）
●2名様以上：16,500円（お一人につき）

　※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません。