ドライエッチングの最新技術動向とプラズマダメージおよびアトミックレイヤーエッチング（ＡＬＥ）
| 開催日 |
9:30 ～ 13:00 締めきりました |
|---|---|
| 主催者 | サイエンス＆テクノロジー株式会社 |
| キーワード | 半導体技術 プラズマ技術 生産工学 |
| 開催エリア | 東京都 |
| 開催場所 | 【大田区】東京流通センター |
| 交通 | 【モノレール】流通センター駅 |
ドライエッチングのプロと材料メーカーエンジニアのための特別講座
最新技術動向と最先端のアトミックレイヤーエッチング(ALE)を詳説
プラズマダメージの発生メカニズムから対策までを詳説
★ 大好評 累計第８回！ドライエッチングの最新技術動向とホットで注目のアトミックレイヤーエッチング！
★ 最先端技術とプラズマダメージも徹底解説。ドライエッチングのプロを目指す方への最適講座です。
★ 最先端技術とプラズマダメージも徹底解説。ドライエッチングのプロを目指す方への最適講座です。
講師
ナノテクリサーチ 代表 野尻 一男 氏
【元・ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー（2018.11まで）】
【経歴】
1975年 (株)日立製作所入社。半導体事業部にてCVD、デバイスインテグレーション、
ドライエッチングの研究開発に従事。特にECRプラズマエッチング、チャージアップダメージに関して
先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。
2000年ラムリサーチ(株) 入社、取締役・CTOに就任。
2017年ラムリサーチ(株) エグゼクティブ・フェロー。
2019年独立。ナノテクリサーチ代表として技術及び経営のコンサルティングを行っている。
1989年「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞。
1994年「低温ドライエッチング装置の開発」で機械振興協会賞通産大臣賞を受賞。
受講料
【44,000円：消費税10%、資料付】 ( S&T会員受講料 41,800円 )
S&T会員なら、2名同時申込みで1名分無料
2名で44,000円 (2名ともS&T会員登録必須／１名あたり定価半額22,000円)
【1名分無料適用条件】
※2名様ともS&T会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、１名あたり定価半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
セミナー趣旨
半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれ、ドライエッチングに課せられる要求は
ますます厳しくなってきており、10nmノード以降では原子レベルで表面反応を制御する
アトミックレイヤーエッチング（ALE）が必要となってきています。
本セミナーでは、ドライエッチングの最新技術動向、プラズマダメージ、およびALEについて
分かりやすく解説します。
最新技術動向では、Low-k Cuダマシンエッチング、メタルゲート/High-kエッチング、
FinFETエッチング、3D IC用エッチング技術、さらには最近注目されているマルチパターニングや
3D NANDのHARCエッチングについて具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説します。
プラズマダメージに関してはチャージアップの発生メカニズム、各種エッチング装置の
チャージアップアップ評価について解説し、プロセス面、ハードウェア面、
デバイスデザインルール面からの対策方法を明らかにします。ここでは、生産現場で
実際に起こった不良事例も紹介します。
アトミックレイヤーエッチング（ALE）に関しては最初に原理と特徴について解説し、
次にSi やGaN、AlGaNのALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには
10nmロジックデバイスへの適用が始まったSiO2のALEについて詳細に解説します。
本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、
実践的で密度の濃い内容になっており、ドライエッチングのプロを目指す方に最適な講座となっています。
また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの最新技術動向を理解し、
また自分たちの技術が先端デバイスの中でどのように使われているのかを理解するのにも
役立つセミナーです。
ますます厳しくなってきており、10nmノード以降では原子レベルで表面反応を制御する
アトミックレイヤーエッチング（ALE）が必要となってきています。
本セミナーでは、ドライエッチングの最新技術動向、プラズマダメージ、およびALEについて
分かりやすく解説します。
最新技術動向では、Low-k Cuダマシンエッチング、メタルゲート/High-kエッチング、
FinFETエッチング、3D IC用エッチング技術、さらには最近注目されているマルチパターニングや
3D NANDのHARCエッチングについて具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説します。
プラズマダメージに関してはチャージアップの発生メカニズム、各種エッチング装置の
チャージアップアップ評価について解説し、プロセス面、ハードウェア面、
デバイスデザインルール面からの対策方法を明らかにします。ここでは、生産現場で
実際に起こった不良事例も紹介します。
アトミックレイヤーエッチング（ALE）に関しては最初に原理と特徴について解説し、
次にSi やGaN、AlGaNのALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには
10nmロジックデバイスへの適用が始まったSiO2のALEについて詳細に解説します。
本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、
実践的で密度の濃い内容になっており、ドライエッチングのプロを目指す方に最適な講座となっています。
また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの最新技術動向を理解し、
また自分たちの技術が先端デバイスの中でどのように使われているのかを理解するのにも
役立つセミナーです。
セミナー講演内容
＜得られる知識・技術＞
・マルチパターニングや3D NANDのHARCエッチングを始めとした、ドライエッチング最新の
技術動向を学ぶことができる。
・プラズマダメージの発生メカニズムから対策まで、その全容を理解することができる。
・最近ホットな話題となっているアトミックレイヤーエッチング（ALE）の原理、応用について
学ぶことができる。
＜プログラム＞
１．最新技術動向
1.1 Low-k Cuダマシンエッチング
1.2 メタルゲート/ High-kエッチング
1.3 FinFETエッチング
1.4 マルチパターニング
1.4.1 SADP
1.4.2 SAQP
1.5 3D NAND/DRAM用HARCエッチング
1.6 3D IC用エッチング技術
２．ドライエッチングダメージ
2.1 Si表面に導入されるダメージ
2.2 チャージアップダメージ
2.2.1 チャージアップダメージの評価方法
2.2.2 チャージアップの発生メカニズム
2.2.3 各種エッチング装置のチャージアップ評価とその低減法
2.2.4 パターンに起因したゲート酸化膜破壊
2.2.5 デバイスデザインルールによるチャージアップダメージ対策
2.2.6 チャージアップダメージによる不良事例
３．アトミックレイヤーエッチング（ALE）
3.1 ALEの歴史
3.2 今なぜALEが必要か
3.3 ALEの原理と特徴
3.4 SiのALE
3.5 GaN，AlGaNのALE
3.6 SiO2のALE
４．おわりに ～ドライエッチング技術の今後の課題と展望～
□質疑応答・名刺交換□
・マルチパターニングや3D NANDのHARCエッチングを始めとした、ドライエッチング最新の
技術動向を学ぶことができる。
・プラズマダメージの発生メカニズムから対策まで、その全容を理解することができる。
・最近ホットな話題となっているアトミックレイヤーエッチング（ALE）の原理、応用について
学ぶことができる。
＜プログラム＞
１．最新技術動向
1.1 Low-k Cuダマシンエッチング
1.2 メタルゲート/ High-kエッチング
1.3 FinFETエッチング
1.4 マルチパターニング
1.4.1 SADP
1.4.2 SAQP
1.5 3D NAND/DRAM用HARCエッチング
1.6 3D IC用エッチング技術
２．ドライエッチングダメージ
2.1 Si表面に導入されるダメージ
2.2 チャージアップダメージ
2.2.1 チャージアップダメージの評価方法
2.2.2 チャージアップの発生メカニズム
2.2.3 各種エッチング装置のチャージアップ評価とその低減法
2.2.4 パターンに起因したゲート酸化膜破壊
2.2.5 デバイスデザインルールによるチャージアップダメージ対策
2.2.6 チャージアップダメージによる不良事例
３．アトミックレイヤーエッチング（ALE）
3.1 ALEの歴史
3.2 今なぜALEが必要か
3.3 ALEの原理と特徴
3.4 SiのALE
3.5 GaN，AlGaNのALE
3.6 SiO2のALE
４．おわりに ～ドライエッチング技術の今後の課題と展望～
□質疑応答・名刺交換□