CMP技術の基礎から最新動向・研究開発事例まで

CMP技術の基本から、装置構成・スラリーなど装置の概要、パワー半導体／シリコン半導体それぞれへのCMP技術の応用と事例まで。

セミナー講師

 九州工業大学 大学院情報工学研究院 知的システム工学研究系 教授　  鈴木 恵友 氏

セミナー受講料

【オンライン受講：見逃し視聴なし】　1名41,800円(税込（消費税10％）、資料付)＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき30,800円

【オンライン受講：見逃し視聴あり】　1名47,300円(税込（消費税10％）、資料付)＊1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

＊学校法人割引；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

受講について

• 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。（開催1週前～前日までには送付致します）※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。（土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。）
• 受講にあたってこちらをご確認の上、お申し込みください。
• Zoomを使用したオンラインセミナーです→環境の確認についてこちらからご確認ください
• 申込み時に（見逃し視聴有り）を選択された方は、見逃し視聴が可能です→こちらをご確認ください

セミナー趣旨

  本セミナーではCMPの基礎的な内容から、シリコン半導体やパワー半導体などの半導体デバイスの応用事例について解説します。ここではCMPにおける研磨部材に関する紹介のほか、半導体プロセスへの適用例についても解説します。そして、パワー半導体基板の高速研磨技術や低屈折率透明パッドを用いた研磨モニタリング手法など、これまで実施してきた研究事例についても紹介します。最後に、CMPの将来展望に関する意見についても述べます。

セミナープログラム

１．CMP技術が導入された経緯　1-1　CMP以前の段差緩和との関係　1-2　リソグラフィーとCMPスペックとの関係（考え方）　1-3　平坦化CMPの導入　1-4　ダマシン法におけるCMPの適用　1-5　研磨レート、均一性の考え方２．CMP装置の概要　2-1　装置構成　2-2　工程管理とモニタリング手法の概念　2-3　スラリーについて　2-4　材料除去メカニズムに関する検討　2-5　ポリシングパッドの役割３．パワー半導体におけるCMP技術について　3-1　基板製造プロセス概要　3-2　基板研磨法　3-3　研究事例１：ハイブリッド微粒子による高効率研磨技術　3-4　研究事例２：イオンインプラを用いた高効率研磨（導入編）４．シリコン半導体のCMP技術について　4-1　フロントエンドCMPの適用例　4-2　Cu-CMPについて　4-3　パターン研磨における課題　4-4　研究事例３：インプリント技術を用いた透明パッドの作成　4-5　研究事例４：研磨中におけるナノ微粒子観察手法　4-6　研究事例５：研磨中における酸化膜残膜量の定量化５．半導体技術とCMPの将来展望について＜質疑応答＞

＊途中、小休憩を挟みます。