【中止】半導体デバイス入門講座

セミナー趣旨

　半導体産業は、IT機器を支える基幹産業としてAI/DX社会実現の主導的役割を果たすと考えられるようになり、経済安全保障の観点からも高い注目が集まっている。この半導体集積回路の基本となるデバイスが、MOSトランジスタであることから、その進化の道筋を追うことで、現在および将来の集積回路の方向性を理解することができる。本セミナーでは、半導体の基本的性質から始めて、MOSトランジスタの構造と動作原理、微細化の基本的考え方、作製プロセスの基礎、性能向上のための工夫、将来の技術発展の方向性について、最新の研究開発状況にも触れながら、解説する。

受講対象・レベル

・業務に活かすため、半導体デバイスやMOSトランジスタ、集積回路についての知見を得たいと考えている方
・半導体集積化技術の将来像にご興味のある方

習得できる知識

・半導体物性の基礎
・MOSトランジスタの構造と動作原理
・MOSトランジスタの微細化手法
・MOSトランジスタの作製方法の基礎
・近年の微細トランジスタ高性能化技術の概要
・今後のMOSトランジスタの発展の方向性
など

セミナープログラム

１．半導体産業の重要性
　　1-1　半導体の応用分野と将来性
　　1-2　半導体製品の種類

２．半導体の基礎
　　2-1　半導体の特徴
　　2-2　半導体中の電気伝導と移動度
　　2-3　n型半導体とp型半導体
　　2-4　pn接合と空乏層

３．MOSトランジスタの動作原理
　　3-1　MOSトランジスタの動作原理
　　3-2　MOS構造のバンド図
　　3-3　反転状態と閾値電圧
　　3-4　MOSトランジスタの電流-電圧特性

４．MOSトランジスタを用いた論理計算

５．MOSトランジスタの微細化とムーアの法則
　　5-1　集積回路のコンセプトとムーアの法則
　　5-3　MOSトランジスタのスケーリング則

６．MOSトランジスタの作製方法

７．MOSトランジスタ微細化の制限要因と改良技術
　　7-1　ゲート絶縁膜の薄膜化限界とhigh k絶縁膜
　　7-2　短チャネル効果と立体構造トランジスタ
　　7-3　チャネル移動度向上技術

８．MOSトランジスタ高集積化の現状と今後の動向
　　8-1　テクノロジーノードとロードマップ
　　8-2　三次元集積化

キーワード：
半導体,動向,MOSFET,成膜,オンライン,WEBセミナー

セミナー講師

東京大学 大学院 工学系研究科 電気系工学専攻　教授　工学博士　高木 信一　氏
【専門】
半導体デバイス工学
〇主な経歴：
1987年　東京大学工学系研究科博士課程卒業、工学博士。
東芝・総合研究所入所。
1993-1995年 Stanford大学訪問研究員、
2003年 東京大学工学系研究科電気系工学専攻・教授。
〇業界での関連活動：
システムデバイスロードマップ産学連携委員会・委員
〇ホームページアドレス：
https://sites.google.com/g.ecc.u-tokyo.ac.jp/mosfet/

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合49,500円、
　 2名同時申込の場合計55,000円（2人目無料：1名あたり27,500円）で受講できます。
（セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
　  今回の受講料から会員価格を適用いたします。）
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　 メールまたは郵送でのご案内となります。
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受講について

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