
半導体洗浄技術と洗浄剤の設計、パーティクル除去、ウエハ表面の評価
★ 先端半導体で要求される洗浄技術、課題について解説します!
★ 『残渣除去性の評価』 『表面酸化状態の解析』 その注意点とは?
セミナープログラム
【10:30-12:10】
1.半導体表面洗浄の要点・手法と効果
●講師 反応装置工学ラボラトリ 代表 博士(工学)羽深 等 氏
【ご略歴】
横浜国立大学名誉教授、化学工学会シニア会員、化学工学会エレクトロニクス部会部会長、応用物理学会会員、日本結晶成長学会会員、米国化学会会員、米国電気化学会名誉会員、エレクトロニクス実装学会会員、空気清浄協会会員、よこはま高度実装技術コンソーシアム理事長
【習得できる知識】
・「清浄」とは目的に合わせて変わる操作であること
・先端半導体材料の洗浄は、機械的操作と化学的操作によること
・洗う対象に合わせた洗浄手法の選び方
・洗浄するための水流と気泡の作り方と使い方
・微細な空間を洗う際の注意
【講座の趣旨】
半導体洗浄は、機械的操作(流れや擦り)と化学的操作(反応)が主であり、その条件(温度、時間、など)を調整すると効果が上がります。その際、例えば水の流れを一つの軸にすると、半導体洗浄が直感的に見えるようになってきます。例えば、半導体にとって「清浄・きれい」とは何かを考え、水の流れを動画で眺めると、洗浄とは何をどうすることなのかが感じ取れます。ここでは、枚葉式洗浄機とバッチ式洗浄機の流れ、超音波洗浄の流れと気泡挙動などの動画を見るとイメージが湧きます。最後には、見落としがちな項目と対策を紹介して締め括ります。
1.半導体表面の汚れは何?いつ、どこからなぜやって来る?
2.洗浄の4要素:温度、時間、化学、力学
3.半導体の洗浄に特有のこと(何故、そこまでして洗うのか)
4.半導体洗浄の基礎現象(薬液と流れの効果)
4.1 表面の現象とプロセス(付着・脱離・引き剥がす・乾かす)
4.2 流れ、熱、拡散、反応(洗う=汚れを動かす操作)
4.3 装置内流れの種類(完全混合、押出流れ、境界層)
4.4 流れの可視化観察(動画)
5.洗浄機内の流れと反応
5.1 枚葉式洗浄機
(1)水の流れの実例(観察動画と計算例)
5.2 バッチ式洗浄機
(1)水の流れの実例(観察動画と計算例)
(2)水流循環を抑えた事例(入口と出口を変える)
5.3 超音波の働き
(1)水と気泡の動きの実例(観察動画)
6.洗浄結果の評価方法
7.まとめ:困った時の視点と対策(境界層を壊そう!)
【質疑応答】
【13:00-14:40】
2.CMP後の洗浄技術とウェハ表面状態の評価
●講師 三菱ケミカル(株) Science&Innovation Center 主席研究員 竹下 寛 氏
【講座の趣旨】
半導体デバイス微細化の進展や新材料導入により、CMP後洗浄技術の重要性が増している。デバイスの欠陥を減らすためには、洗浄対象に即した機能設計と、洗浄表面に対する的確な評価・解析手段が必須である。本講座では、CMP後洗浄技術の基礎と、それを支える表面状態の各種評価手法について、実例を交えて紹介する。
1.はじめに
1.1 CMP工程の概説
1.2 CMP後洗浄とは
1.3 CMP後洗浄における性能要求のトレンド
2.CMP後洗浄剤の機能設計
2.1 洗浄対象(金属配線、絶縁膜)
2.2 洗浄課題(スラリ砥粒、金属系残渣、有機系残渣、各種腐食)
2.3 洗浄剤設計の基本的考え方
2.4 洗浄剤成分と洗浄メカニズム(酸性系/アルカリ系洗浄剤)
3.洗浄表面の評価技術
3.1 CMP後洗浄剤の性能評価とは‐欠陥検査とそのレベル
3.2 直接的評価と間接的評価の考え方
3.3 砥粒・残渣除去性の評価(光学顕微鏡、SEM、TXRF、ゼータ電位測定、QCM等)
3.4 腐食評価、表面の酸化状態の解析(XPS、ToF-SIMS、AFM、連続電気化学還元法等)
4.まとめ
【質疑応答】
【14:50-16:30】
3.半導体洗浄装置によるウエハの洗浄と乾燥
●講師 (株)SCREENセミコンダクターソリューションズ 洗浄開発統轄部 開発戦略部 開発戦略課 プロセス戦略リーダー 岩畑 翔太 氏
【ご略歴】
Imec(ベルギーの半導体研究機関) 駐在 歴 3年
【習得できる知識】
・半導体製造における洗浄の役割
・半導体洗浄に使用される主要装置/薬液種類/洗浄原理
・先端半導体に要求される洗浄技術課題と最新洗浄技術
1.ウェット洗浄技術の基礎
1.1 製造プロセスと洗浄工程
1.2 洗浄装置の種類(枚葉/バッチ)
1.3 洗浄方法例
2.ウェット洗浄技術の次世代半導体への適用
2.1 半導体デバイスのトレンド
2.2 ウェット洗浄観点での技術的課題
2.3 半導体製造に求められる機能
3.次世代半導体を実現する最先端技術
3.1 ナノ構造物間を洗浄するパーティクル除去技術
3.2 ナノ構造物間から膜を除去する狭所エッチング技術
3.3 ナノ構造物を倒壊させない乾燥技術
【質疑応答】
セミナー講師
1.反応装置工学ラボラトリ 代表 博士(工学)羽深 等 氏
2.三菱ケミカル(株) Science&Innovation Center 主席研究員 竹下 寛 氏
3. (株)SCREENセミコンダクターソリューションズ 洗浄開発統轄部 開発戦略部 開発戦略課 プロセス戦略リーダー 岩畑 翔太 氏
セミナー受講料
1名につき60,500円(消費税込、資料付)
〔1社2名以上同時申込の場合のみ1名につき55,000円〕
受講について
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受講料
60,500円(税込)/人