2.5D/3D集積化プロセスの開発動向と実装・材料・冷却技術の展望

セミナー趣旨

　近年、半導体の性能向上にはデバイス性能だけでなく実装技術が大きく寄与するようになり、そのカギとなる2.5D/3D集積化技術が大きな注目を集めています。
　本講演では、国内大手半導体メーカーや海外装置メーカー、海外研究機関での経験豊富な講演者が、次世代半導体デバイスのための2.5D/3D集積化技術、それを支える実装・材料・冷却技術の詳細を解説します。
　また、現在の市場動向や技術開発の最前線に迫る情報を提供し、国際競争力を持つための戦略やチャレンジについて解説します。
　さらに、講師の海外業務経験を踏まえ、研究マネジメントや仕事の進め方・考え方の日本との違いを、講演途中でコーヒーブレイク的にいくつか入れる予定です。

受講対象・レベル

半導体製造、組立＆テスト、製造装置、実装材料の各メーカー、半導体プロセス・実装分野での研究開発・製造に携わる方（初心者から中級者まで）

必要な予備知識

半導体実装の基礎知識

習得できる知識

・最先端半導体実装の技術動向
・最先端半導体メーカーの実装に対するアプリケーションごとの要求
・2.5D/3D集積の取り組むべき課題とその解決手段
・半導体産業における日本と諸外国の研究マネジメント・会社文化の違い

セミナープログラム

１． はじめに －高密度実装の必要性－
　　　1.1 パッケージ配線スケーリングと配線ギャップ
　　　1.2 先端パッケージの変遷
　　　1.3 各種高密度パッケージの優劣比較
　　　1.4 配線密度向上およびパッケージ大型化の技術トレンド
　　　1.5 チップレット解説
　　　1.6 設計・デバイス・プロセス・実装の全体最適化（DTCO/STCO）

２． 高密度実装技術のアプリケーション
　　　2.1 2nmテクノロジーノード以降のデイバス構造およびパッケージ構造の変化
　　　2.2 高密度実装を要求するロジックアプリケーションとその要求仕様
　　　2.3 高密度実装を要求するメモリアプリケーションとその要求仕様
　　　2.4 高密度実装を要求するイメージセンサアプリケーションとその要求仕様

３． 2.5D/3D異種機能集積（チップレット）を実現するパッケージ形態とベンチマーク
　　　3.1 Siインターポーザーを用いた2.5D/3D集積技術
　　　3.2 Siブリッジを用いた2.xD/3D集積技術
　　　3.3 高密度配線基板を用いた2.xD/3D集積技術
　　　3.4 光電融合を実現する2.xD/3D集積技術

４． 高密度実装のカギとなるハイブリッド接合技術およびそのプロセス課題
　　　4.1 ハイブリッド接合のメカニズム
　　　4.2 ウェハレベルハイブリッド接合のプロセスフローと課題
　　　4.3 ハイブリッド接合に必要な検査工程
　　　4.4 チップレベルハイブリッド接合のプロセスフローとその課題
　　　4.5 高歩留まりハイブリッド接合を実現するためのプロセス技術

５． 高密度実装に要求される材料技術
　　　5.1 放熱効率を支配する熱界面材料（TIM）
　　　5.2 狭ピッチバンプ接続のカギとなるアンダーフィル材料
　　　5.3 高速信号伝送、低反りを実現する層間絶縁膜材料・基板材料
　　　5.4 低温ハイブリッド接合を実現する銅めっき技術
　　　5.5 革新的材料を生み出す新手法　マテリアルズ・インフォマティクス

６． 最先端実装に要求される冷却技術
　　　6.1 半導体パッケージの冷却技術概説
　　　6.2 スーパーコンピューター富岳に使われる冷却技術
　　　6.3 シリコンチップを直接冷却するオンチップ冷却技術
　　　6.4 システム全体を冷却液に浸す液浸冷却技術
　　　6.5 チップの内部に冷却液を入れて放熱するマイクロ流体冷却技術

【質疑応答】

半導体,実装,チップレット,パッケージ,2.5D,3D,冷却,材料,セミナー,講演,研修

セミナー講師

東京大学
システムデザイン研究センター（d.lab） 特任研究員 博士（工）
川野 連也 氏

【ご専門】
三次元集積技術

セミナー受講料

49,500円（税込、資料付）
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　 2名同時申込の場合計49,500円（2人目無料：1名あたり24,750円）で受講できます。
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