ＣＭＰのメカニズムと消耗部材への要求性能、応用プロセス

セミナー趣旨

CMPは約30年前に半導体デバイスの製造に応用された頃にはゲテモノ扱いされていましたが、今ではなくてはならない非常に重要な技術となりました。CMPと一口で言っても実は工程別に平坦化メカニズムも材料除去メカニズムも異なっています。本講では最初にそうしたメカニズムについて理解していただいた上で、CMPの構成要素である装置、消耗材料（スラリー、研磨パッド、パッドコンディショナー）について解説します。主な応用工程の目的とポイントについて解説し、最後に材料開発のヒントについても触れます。

習得できる知識

①CMPの理論
　・材料除去メカニズム
　・平坦化メカニズム
②CMPに用いられる装置
　・装置構成の変遷と研磨方式
　・ヘッドの変遷
③CMPに用いられる消耗材料
　・研磨パッドの基礎
　・スラリーの基礎
　・ドレッサーの基礎
④CMPの応用工程
　・半導体製造工程　ILD、STI、W、Cu、トランジスタ周り
　・基板製造　シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/LN
⑤評価方法
　・パッドの評価方法
　・スラリーの評価方法
　・ドレッサーの評価方法

セミナープログラム

セミナー講師

(株)ISTL　代表取締役社長　博士(工学)　礒部 晶 氏

【略歴】
1984−2002　日本電気(株)にて半導体プロセス開発
2002−2006　(株)東京精密にてCMP事業執行役員
2006−2013　ニッタハース(株)にてテクニカルサポートセンター長等
2013−2015　(株)ディスコにて新規事業担当
2015−　(株)ISTL設立し現在に至る　技術・事業アドバイザー、各種セミナー講師等
精密工学会プラナリゼーションＣＭＰとその応用技術専門委員会幹事（2006〜）

セミナー受講料

1名につき55，000円（消費税込・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込）〕

受講について

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