【中止】原子層エッチングの原理、反応プロセスとその応用技術

セミナープログラム

＜１０：３０～１４：３０＞※途中、昼休みを含む

原子層エッチングの原理、手法とその開発事例
(株)日立製作所　篠田 和典 氏

【本講座で学べること】
・半導体デバイス製造の開発動向と先端課題
・ドライ／ウェットエッチングの基礎と各種材料のエッチング
・原子層エッチングの原理と各種手法
・各種材料の原子層エッチング開発事例

【講座概要】
半導体集積回路では、加工寸法の微細化と三次元集積化による集積度の向上が加速しています。また、今後のポストスケーリングに向けて、新たなトランジスタ構造や、新たな材料の適用が検討されています。このため、今後の半導体デバイス製造では、多様な材料を原子層レベルの加工精度でエッチングする技術が重要になってきます。本講座では、まず原子層エッチングの基盤技術である、ドライエッチングおよびウェットエッチングの基礎や各種材料の反応ケミストリ、課題について解説します。次に、原子層エッチングについて、研究動向、エッチングの原理と代表的な手法、そして各種材料の原子層エッチング開発事例を解説します。

1. 半導体デバイス製造におけるエッチング
2. 先端デバイスの動向とエッチングの課題
3. エッチングの基礎
   1. ドライエッチング
   2. ウェットエッチング
4. 従来エッチングの課題
5. 原子層エッチング(ALE)の基礎
   1. ALEの動向
   2. ALEの原理
6. 有機金属錯体反応を用いた等方性ALE
   1. 酸化ランタン
   2. コバルト
7. プラズマアシスト熱サイクル法による等方性ALE
   1. 窒化シリコン
   2. 窒化チタン
   3. タングステン
8. ハロゲン化とArイオン照射による異方性ALE
   1. シリコン
9. フルオロカーボンアシスト法による異方性ALE
   1. S窒化シリコン
10. まとめ

【質疑応答】

＜１４：４５～１６：３０＞

プラズマを用いた原子層エッチングの表面反応機構と最新技術動向
大阪大学　浜口 智志 氏

【本講座で学べること】
・プロセスプラズマの基礎
・プラズマエッチング一般における表面反応機構の基礎
・プラズマ支援原子層エッチング（PE-ALE）の基礎と応用例

【講座概要】
本講座では、最先端半導体プロセスにおいて、今後活用がますます広がることが期待される原子層エッチング（ALE）技術、特に、プラズマ支援ALE（PE-ALE）技術を、基礎となる物理化学原理から解説する。具体的には、半導体プロセスで用いられるプラズマ装置の概要、気相反応、および、プラズマ物質相互作用の物理機構を、ALEの観点から、できるだけ分かりやすく解説する。

1. 背景
2. プラズマ科学の基礎
3. 代表的なプラズマプロセス装置
4. 反応性イオンエッチング（RIE）概要：原子層エッチング（ALE）の基礎として
   1. プラズマ表面相互作用
   2. シリコン系材料エッチング反応機構
5. ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
   1. 熱ALD
   2. プラズマ支援ALD
6. ALEプロセスの概要と最新技術動向
   1. プラズマ支援ALE
   2. 熱ALE：リガンド交換
   3. 熱ALE：金属錯体形成
7. まとめ

【質疑応答】

セミナー講師

《第１部》(株)日立製作所　研究開発グループ　計測イノベーションセンタ　ナノプロセス研究部　主任研究員　博士(工学)　篠田 和典 氏

《第２部》大阪大学　工学研究科　教授　理学博士　Ph.D.　浜口 智志 氏

セミナー受講料

1名につき55，000円（消費税込・資料付き）　
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49，500円（税込）〕

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