ＣＭＰプロセスの特徴と消耗材料の要素技術

セミナー趣旨

　CMPプロセスは、半導体製造の多層配線工程に必要不可欠なキープロセスとして、これからも更なる需要の拡大が期待される。一方、今後SiCやGaNなどのこれからの半導体デバイスに、現行CMP技術がどこまで適用できるか不明な点も多い。
　本セミナーでは、将来的なCMP技術開発において、CMP技術の歴史的な理解や、現状のCMP技術を含めてCMP技術全体を見直す。その上で、SiC基板をはじめとする次世代半導体全体が徐々に浸透していく中で、再度CMPに求められる要素技術を考察し、その対応すべき点を述べる。
　また、CMP統合システムとして捉えた場合の装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方を解説する。
　最後に、次世代半導体デバイスを実装する上で、必要となるダイシング加工技術など、半導体加工技術全般について触れ、今後の要素技術のアプローチを述べる。

受講対象・レベル

・CMPに関わる初級〜中級技術者
・研磨技術・CMP技術を開発中の研究開発者
・研磨技術・CMP技術を再度基礎から学びたい方
・これから研磨・CMP関係でビジネスを展開したい方
・研磨技術・半導体加工技術で産学連携研究を模索する方

習得できる知識

・研削加工とラッピング加工と研磨加工の違いを整理しながら、化学機械研磨の本質的な考え方を身に着けることができる。
・研磨・CMP技術の開発経緯と加工メカニズムの基礎を学ぶことができる。
・現行のCMP技術をさらに発展させていく上で、今後どのような点が技術的課題であるかといった研究開発していく上での　ポイントなる指針を見つけることができる。

セミナープログラム

１．CMP(Chemical Mechanical Planarization)技術の概要、歴史
　1-1 研磨技術の概要
　1-2 Siウェーハの加工プロセス
　1-3 ラッピング加工
　1-4 研磨加工
　1-5 化学機械研磨の研磨メカニズム
　1-6 研磨制御における課題

２．CMPの概要とCMPプロセス
　2-1 半導体製造方法とCMPの概要
　2-2 CMPプロセスが適用されるプロセス
　2-3 CMPにおける重要な要素技術

３．CMP要素技術（１）圧力分布の設計
　3-1 CMPに求められる仕様
　3-2 研磨プロセスにおける圧力分布制御の考え方
　3-3 圧力分布調整へのアプローチ
　3-4 静的圧力分布と動的圧力分布の対応
　3-5 圧力分布制御技術
　3-6 研磨均一性と圧力分布形状の対応

４．CMP要素技術（２）研磨パッド状態の定量化
　4-1 研磨パッドの特徴
　4-2 研磨パッドにおける幾何学的な要素
　4-3 研磨パッドの定量的な状態把握
　4-4 研磨パッドの化学的解析が必要な背景
　4-5 FTIRによるパッド表面の分析
　4-6 ラマン散乱分光によるパッド表面分析
　4-7 緩和時間評価による高分子と水の関係

５．CMP要素技術（３）パッドコンディショニング技術
　5-1 パッドコンディショニング技術の概要
　5-2 In-situコンディショニング技術
　5-3 ダイヤモンド配列による長寿命化
　5-4 表面基準コンディショニング
　5-5 微小研削コンディショニング

６．CMP要素技術（４） 終点検出技術
　6-1 終点検出の種類と概要
　6-2 光学式終点検出技術
　6-3 渦電流式終点検出
　6-4 表皮効果を利用した渦電流終点検出技術

７．次世代半導体、電子部品に対する最新加工技術
　7-1 三次元実装技術
　7-2 レーザダイシング技術
　7-3 ダイシングと平面研削加工の融合技術
　7-4 次世代SiC基板における加工技術
　7-5 新しいダイシング加工技術,溝入れ加工技術

【質疑応答】

セミナー講師

近畿大学　理工学部　機械工学科　准教授　藤田 隆 氏

セミナー受講料

1名につき 55,000円（消費税込、資料付）
〔1社2名以上同時申込の場合のみ1名につき49,500円〕

受講について

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