ALDの基礎と原料の開発・選択
開催日 |
10:30 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | (株)R&D支援センター |
キーワード | 半導体技術 薄膜、表面、界面技術 |
開催エリア | 東京都 |
開催場所 | 【品川区】きゅりあん |
交通 | 【JR・東急・りんかい線】大井町駅 |
注目されるALD法(原子層堆積法)について、基礎から解説!
問題点と対策方法から、低温ALDについて、また今後の発展が期待される
ALE (Atomic Layer Eching) についても解説!
講師
気相成長(株) 代表取締役 理学博士 町田 英明 氏
【ご専門】 LSI配線関連プロセス開発、CVD, ALD, プリカーサー, 有機金属
【ご活躍】 ADMETA委員、Cat-CVD幹事、CVD反応分科会幹事、SKIL理事
受講料
■ R&D会員登録していただいた場合、通常1名様申込で49,980円(税込)から
・1名で申込の場合、47,250円(税込)へ割引になります。
・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,980円(2人目無料)です。
(まだR&D会員未登録の方は、申込みフォームの通信欄に「会員登録情報希望」と記入してください。詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)
受講対象・レベル
これからALDを始めようとする技術者やALD原料の開発者、ALDで問題を抱える技術者など
必要な予備知識
自然科学、化学について大学卒業程度の知識
習得できる知識
目的の金属系膜をALDで作製できる。ALDの原料選択が的確になる。
趣旨
ALD(Atomic Layer Deposition)技術の基礎とALDの原料として用いられる有機金属化合物の一般的特徴。ALD用原料としての揮発可能な原料の開発指針。多種原料の特徴とどれがALDに適しているかを解説する。また、原料の揮発・輸送手段の例とそれぞれの問題点をあげ、その対策法を具体的に紹介する。さらに現在、注目を集めている遷移金属薄膜のALD原料・成膜、ならびに近年盛んになった低温ALDについても触れる。最後に今後の発展が期待されるALE(Atomic Layer Eching)について、ALDの逆工程の応用についても提案する。
プログラム
1.はじめに
1-1 気相成長原料の過去・現在
1-2 気相成長技術の採用
2.ALDの基礎
2-1 化学吸着とALDサイクル
a TMAとH2O
b H2Oと反応しない原料
c ALDサイクルの初期層
2-2 非化学吸着のよるALDサイクル
a 物理吸着とALDサイクル
b 問題点
3.原料の基礎
3-1 有機金属原料
a 有機金属とは
b 有機金属の合成法
c 有機金属の実用
4.原料の分子設計
4-1 揮発性
a 有機金属結合型
b 共有結合性有機金属
c イオン結合性有機金属
d 蒸気圧向上法
e 蒸気圧測定法
4-2 低融点
a 共有結合とイオン結合
b 低融点化
4-3 分子軌道計算
a 分子間力
b 成長シミュレーション
5.原料の安全性
5-1 消防法危険物
a 引火性
b 発火性
c 水との反応性
d 爆発性
5-2 毒性
a 急性毒性・慢性毒性
b 特に注意すべき原料
6.原料の製造
6-1 量産性
6-2 コスト
7.原料の分解
7-1 熱分解
a 自己分解
b 雰囲気ガス
7-2 分解温度の調整
a 低温化
b 高温化
7-3 保存安定性
a 保存容器
b 保存状態
c 安定剤
8.原料の揮発・輸送
8-1 蒸気圧直接供給
a ガス原料
b 微差圧駆動MFC
8-2 キャリアガスバブリング
a 液体原料
b 溶液原料 --- タイプA, タイプB
c 蒸気圧と揮発性
8-3 ダイレクトリキッドインジェクション
a 液体原料
b 溶液原料
8-4 原料の同時供給
a Pre-reaction
b Adduct形成
9.原料各論
9-1 原料の種類と性質
a タイプA
b タイプB
9-2 族別原料の性質
a 1,2族
b 17族
10.新しいALD状況
10-1 メタル膜ALD
a ラジカル種を用いたALD
b 新原料を用いたALD
c 第3成膜種利用
10-2 アトミックレイヤーエッチング(ALE)
a 代表例
b ALEのチャレンジ
10-3 低温ALD
a TMAによるAl2O3
b 他の多量体原料
c 各種原料の室温反応性比較
11.まとめ
【質疑応答・名刺交換】
キーワード ALD,原子層堆積法,原料,成膜,セミナー,研修,講習