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【名古屋開催】CMP技術の基礎
43,200 円(税込)
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13:00 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | サイエンス&テクノロジー株式会社 |
キーワード | 半導体技術 生産工学 |
開催エリア | 愛知県 |
開催場所 | 【名古屋市中村区】ウインクあいち |
交通 | 【JR・地下鉄・あおなみ線】名古屋駅 【名鉄】名鉄名古屋駅 【近鉄】近鉄名古屋駅 |
~スラリー、パッドの役割と材料除去メカニズム~
★半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴、それに用いられるスラリー、パッドのあるべき姿
★シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/NTなどの基板のCMPの現状と将来の方向性
講師
(株)ISTL 代表取締役社長 博士(工学) 礒部 晶 氏
受講料
43,200円 ( S&T会員受講料 41,040円 )
(まだS&T会員未登録の方は、申込みフォームの通信欄に「会員登録情報希望」と記入してください。詳しい情報を送付します。ご登録いただくと、今回から会員受講料が適用可能です。)
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趣旨
CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀が経過した。当初はゲテモノ扱いされていたCMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられるスラリー、パッドの詳細を解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムを理解することにより、パッドやスラリーのあるべき姿を考察する。シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/NTなどの基板のCMPについてもその現状と、将来の方向性について言及する。
プログラム
1.CMPの基礎
○CMP平坦化工程の分類
・ILD
・Wプラグ
・STI、Cuダマシン
○平坦化メカニズム
・グローバル平坦化
・ローカル平坦化
○最新のCMP応用工程
・highkメタルゲート
・FinFet
○各種スラリーの基礎
・砥粒の種類~アルミナ、シリカ、セリア、無砥粒
・工程別スラリーの特徴
・STI Wプラグ Cu/バリア
○各種研磨パッドの基礎
・研磨パッドの種類
・パッド物性と研磨特性の関係
・パッド解析手法
2.各種基板のCMP
○Si
○サファイア
○SiC
○GaN
○LT/LN
3.CMPの材料除去メカニズム
○研磨メカニズムモデルの歴史
○Feret径モデル
○Feret径モデルの数値計算による妥当性検証
○モデルに基づく開発のヒント
まとめ
□質疑応答□