初心者向けセミナーです CMPの基礎から応用まで~研磨メカニズムから応用工程、装置、消耗材(パッド、スラリー、ドレッサ)、プロセス・材料評価方法等~<Zoomによるオンラインセミナー>

経験に頼る部分が多かったCMP工程の
各種メカニズムを解き明かす!

網羅的・体系的にわかりやすく解説しますので、技術部門以外の方も理解できます。

①Zoomでの受講が難しい方へ;Zoomを介さず視聴できるライブ配信形式での受講も可能です。
 本形式をご希望の方は申込フォーム備考欄に【ライブ配信希望】とご記入ください。
 Zoomとの同時受講はできません。

②本セミナーは見逃し視聴を選択できます。
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※備考欄にご記入のない場合は【Zoom・見逃し視聴なし】となります。

セミナー趣旨

 CMPが半導体の製造工程に用いられるようになって四半世紀以上が経過しました。当初は「常識外れ」だったCMPも今や何種類もの工程で使用されるなくてはならないプロセスとなりました。また、シリコンウエハはもちろん、サファイアやSiC、GaN、LT/LNなどの様々な基板の製造にも用いられています。
 CMPはその平坦化や材料除去の理論に不明な点もあり、経験に頼っている部分が多かったですが、近年では様々な評価方法や理論に基づき、それらのメカニズムも徐々に明らかにされてきています。
 本講座では、研磨メカニズムから実際のCMP応用工程の具体的中身、用いられる装置や消耗材の構成とそれらの役割について網羅的、体系的に解説します。
 なるべくわかりやすく解説しますので、技術部門の方だけでなく、営業・マーケティング部門の方もぜひご参加ください

受講対象・レベル

 ・CMP関連の装置、材料開発、営業・マーケティングに携わっている方
 ・CMPを用いて半導体、電子デバイス、各種基板製造、開発に携わっている方
 ・CMPに関して網羅的、体系的に知識を得たい方

習得できる知識

 ①CMPの理論
  ・材料除去メカニズム
  ・平坦化メカニズム
  ・パッド表面変化メカニズム(ドレッシングとグレージング)
 ②CMPに用いられる装置
  ・装置構成の変遷と研磨方式
  ・ヘッドの変遷
 ③CMPに用いられる消耗材料
  ・研磨パッドの基礎
  ・スラリーの基礎
  ・ドレッサーの基礎
 ④CMPの応用工程
  ・半導体製造工程 ILD、STI、W、Cu、トランジスタ周り
  ・基板製造 シリコン、サファイア、SiC、GaN、LT/LN
 ⑤評価方法
  ・パッドの評価方法
  ・スラリーの評価方法
  ・ドレッサーの評価方法

セミナープログラム

1.CMPとは
 1)CMPの構成要素
 2)CMP装置

  a) CMP装置の構成
  b) 様々なCMP方式
  c) 研磨ヘッドの構造とエッジプロファイル制御
  d) APCと終点検出技術
 3)CMPの目的~平坦化
  a)平坦化の分類
  b)平坦化メカニズム

2.消耗材料の基礎及び評価方法
 1) スラリーの基礎及び評価方法

  a) 砥粒の種類~アルミナ、シリカ、セリア、無砥粒~
  b) ILD用スラリーの特徴
  c) W用スラリーの特徴
  d) Cu用スラリーの特徴
  e) 砥粒の形状と研磨特性について
  f) スラリーによる平坦性の向上
  g) スラリーの評価方法
 2) 研磨パッドの基礎及び評価方法
  a) 研磨パッドの種類と特徴
  b) パッド物性と研磨特性の関係
  c) 研磨パッドの評価・解析方法
  d) パッド表面と平坦性・スクラッチへの影響
 3) ドレス条件と表面状態

3.CMP応用工程の実際
 1) CuCMP

  a) Cu配線の必要性
  b) CuCMPの必要性
  c) CuCMPのポイント
  d) CuCMPプロセスの実際と特有の課題
 2)最新のトランジスタ周りCMP
  a) トランジスタの性能向上
  b) HKRMG
  c) Fin-FET
 3) ウエハ接合技術とCMP工程
 4) CMPのプロセス評価方法
 5) 各種基板の製造工程とCMPの役割

  a) Si
  b) サファイア
  c) SiC
  d) GaN
  e) LT/LN
 6) CMP後の洗浄について
  a) 洗浄ブラシ
  b) 洗浄に用いられる薬液
  c) 乾燥方法

4.研磨メカニズム①
  :パッドの表面変化とドレッシング/グレージングのメカニズム

 1) パッド表面状態変化モデル
 2) 圧力とコンタクトエリアの関係
 3) 砥粒サイズ・砥粒濃度と表面粗さの関係
 4) モデルによる量産現場の事象説明とその改善

5.研磨メカニズム②
  :CMPの材料除去メカニズム
 1) 砥粒による材料除去メカニズムの変遷
 2) 新しい材料除去モデル
 3) 新しい材料除去モデルの検証
 4) 新しい材料除去モデルに基づく開発のヒント


  <質疑応答>

セミナー講師

(株)ISTL 代表取締役 博士(工学)  礒部 晶 先生

1984-2002 NECにてLSI多層配線プロセス開発、1991よりCMPの開発、量産化に従事
2002-2006 東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー
2006-20013 ニッタハースにて研究開発GM  
2013-2015 (株)ディスコにて新規事業開発
2014 九州大学より博士学位取得
2015-  (株)ISTL CMP関連を中心に技術開発、事業開発アドバイザー

セミナー受講料

【オンラインセミナー(見逃し視聴なし)1名47,300円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき36,300円

【オンラインセミナー(見逃し視聴あり)1名52,800円(税込(消費税10%)、資料付)
  *1社2名以上同時申込の場合、1名につき41,800円

*学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引

*見逃し視聴有りをご希望の方は、お申込みの際、備考欄に【見逃し視聴希望】とご記入ください。

受講について

※本講座は、お手許のPCやタブレット等で受講できるオンラインセミナーです。

配布資料・講師への質問等について

  • 配布資料はPDF等のデータで送付予定です。受取方法はメールでご案内致します。
    (開催1週前~前日までには送付致します)。

    ※準備の都合上、開催1営業日前の12:00までにお申し込みをお願い致します。
    (土、日、祝日は営業日としてカウント致しません。)
  • 当日、可能な範囲で質疑応答も対応致します。
    (全ての質問にお答えできない可能性もございますので、予めご容赦ください。)
  • 本講座で使用する資料や配信動画は著作物であり、
    無断での録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止致します。

下記ご確認の上、お申込み下さい

  • PCもしくはタブレット・スマートフォンとネットワーク環境をご準備下さい。
  • ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております(20Mbbs以上の回線をご用意下さい)。
    各ご利用ツール別の動作確認の上、お申し込み下さい。
  • 開催が近くなりましたら、当日の流れ及び視聴用のURL等をメールにてご連絡致します。

Zoomを使用したオンラインセミナーとなります

  • ご受講にあたり、環境の確認をお願いしております。
    お手数ですが下記公式サイトからZoomが問題なく使えるかどうか、ご確認下さい。
    確認はこちら
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※Zoomでの受講が難しい方へ;セミナー動画のライブ配信
(ライブエンコーダーを用いた同時ストリーミング配信)です。

申込み時に(見逃し視聴有り)を選択された方は、見逃し視聴が可能です

  • 開催5営業日以内に録画動画の配信を行います(一部、編集加工します)。
  • 視聴可能期間は配信開始から1週間です。視聴期間内は動画を何度でも再生可能です。
    尚、閲覧用のURLはメールにてご連絡致します。
    ※万一、見逃し視聴の提供ができなくなった場合、
    (見逃し視聴有り)の方の受講料は(見逃し視聴無し)の受講料に準じますので、ご了承下さい。
    こちらから問題なく視聴できるかご確認下さい(テスト視聴動画へ)パスワード「123456」

※セミナーに申し込むにはものづくりドットコム会員登録が必要です

開催日時


10:30

受講料

47,300円(税込)/人

※本文中に提示された主催者の割引は申込後に適用されます

※銀行振込、コンビニ払い

開催場所

全国

主催者

キーワード

半導体技術   電子デバイス・部品   機械加工・生産

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