初心者向けセミナーです 【中止】超精密研磨/CMPプロセス技術―基礎から先端パワーデバイス(SiC/GaN/Diamond基板)等の難加工材料への新加工技術―

超精密加工技術の基礎から加工事例、
高効率・高品質な加工を達成するための技術や装置、
今後の展望までを詳解!

セミナー講師

九州大学 名誉教授 / 埼玉大学 名誉教授
株式会社Doi laboratory 代表取締役
土肥 俊郎 先生

■略歴:
1973年 山梨大学 大学院 修士課程修了
1973年 日本電信電話公社(現在のNTT)武蔵野電気通信研究所入社、電子応用研究所主幹研究員を経て、1988年埼玉大学 教育学部 教授、2004年~2006年 米国アリゾナ大学 客員教授
2007年~2018年 九州大学 大学院 工学研究院 教授
2011年~ 産学連携センターにて多産学連携“Doi Project“を発足し「オプト・エレクトロニクス機能性材料の精密加工技術とそのデバイスプロセス技術の開発」をスタート。
2019年 株式会社Doi Laboratoryにてこれまでの「超精密加工とその応用に関する研究開発」(主として先端的プラナリゼーションCMPの研究開発)の業績【研究論文160本、出願特許180件、各賞の授賞13件以上】を踏まえて企業への橋渡しを行っている。

精密工学会フェロー「プラナリゼーションCMPとその応用専門委員会」(名誉会長/前委員長)
埼玉大学名誉教授、理化学研究所客員研究員
中国・大連理工大学客員教授(海天学者)、浙江工業大学客員教授
工学博士(東京大学)
■専門および得意な分野・研究:
超精密加工プロセス技術とその応用
■本テーマ関連学協会での活動:
・精密工学会「プラナリゼーションCMPとその応用技術専門委員会」(名誉会長)
・日本オプトメカトロニクス協会(JOEM)光部品生産技術部会・部会長

セミナー受講料

1名46,200円(税込(消費税10%)、資料付)
 *1社2名以上同時申込の場合、1名につき35,200円
 *学校法人割引;学生、教員のご参加は受講料50%割引。

※新型コロナウイルスの感染防止の一環として昼食の配布は中止させて頂きます。

セミナー趣旨

 近年では、多機能・高性能化を目指した新しいデバイスが次々と提案され、それと相まって、半導体Si以外の新たな材料が使用されるようになってきました。特に、パワー/高周波デバイス用あるいはLED用サファイア、SiC、GaN、Diamondなどの難加工基板が脚光を浴びています。これらの基板を高能率・高品質に超精密加工するためには、熟成・定着してきたベアSiウェーハをはじめ、デバイスウェーハ平坦化CMP技術などを例にして、加工技術の基礎を理解しておくことが必要不可欠です。
 本セミナーでは、長年培ってきたガラスを含めた機能性材料基板の超精密加工プロセス技術について、門外不出のノウハウも含めて徹底的に掘り下げた情報を盛り込みながら、難加工材料のCMP技術や超精密加工プロセス技術などを詳細に解説します。さらに、究極デバイス用ダイヤモンド基板を含めた高効率加工プロセスなどについても言及し、新しい研究開発のビジネスチャンスをつかんでいただく橋渡しをさせて頂きます。

受講対象・レベル

・研磨・CMP技術を学びたい方、或いは現在研究開発中の方
・これから研磨・CMPとその周辺技術でビジネスチャンスを捕えようとする方
・加工技術・プロセス技術分野で新しいビジネスを試みたい方
・半導体加工分野で新しい領域のシーズを探索されている方
・その他、半導体領域で横のつながり、産学連携を望む方
など

必要な予備知識

この分野に興味のある方なら、特に予備知識は必要はありません。

セミナープログラム

1.超精密加工技術の基礎 ―研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズムの基礎、加工事例―
 1)超精密研磨(ラッピング/ポリシング/CMP等)技術の位置づけ/必要性と適用例
 2)基本的加工促進のメカニズムの理解
 3)各種機能性材料の超精密ポリシング ~コロイダルシリカ・ポリシングを含めて~
2.加工メカニズムから生まれた加工用パッドとスラリーの事例
 1)硬軟質二層構造パッド ―高精度高品位化パッドの考案・試作―
 2)ダイラタンシー現象応用スラリーとパッドの考案・試作
 3)レアアース対策としてのセリア代替の二酸化マンガン系砥粒 ―ガラスの研磨事例―
 4)スラリーのリサイクル技術
  a)ガラス/酸化膜CMP用セリアスラリーのリサイクル技術
  b)メタルCMP用スラリーのリサイクル技術
3.超LSIデバイス・多層配線用の平坦化(プラナリゼーション)CMP技術
 1)デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
 2)平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例 ―パッド・スラリー、そして装置―
 3)パッドのドレッシング ―非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案―
 4)CMP用スラリーの設計とそのための特殊電気化学装置の試作・販売
 5)Siウェーハのナノトポグラフィ他
4.各種材料基板の高効率加工に向けて
 1)加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
  ―Si、SiO2、Cu、サファイア、SiCなどの加工事例
 2)パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
5.革新的高能率・高品質加工プロセス技術 ―SiC・GaN/Diamond基板を対象として―
 1)超難加工基板加工へのブレークスルー(2つの考え方)
 2)加工条件改良型ブレークスルー
  ―ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例
 3)挑戦型加工によるブレークスルー
  ―将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例
6.今後の展開 ―深化するAIと“シンギュラリティ(技術的特異点)”を見据えて―
 重要三大加工技術のキーワード:超精密CMP融合技術、趙薄片化プロセス技術、大口径超精密ボンディング技術

<質疑応答・個別質問・講師との名刺交換>

■講演中のキーワード:

超精密研磨、CMP、オプトメカトロニクス、半導体加工プロセス技術、Si、サファイア、ガラス、SiC、GaN、Diamond、超LSIデバイスの平坦化CMP、研磨パッド、スラリー、CMP装置、パワーデバイス用基板、難加工材料、ダイラタンシー・パッド、高速圧研磨装置、加工雰囲気制御ベルジャー型CMP装置、光触媒反応援用CMP、プラズマ融合CMP技術、スラリーリサイクル技術、非破壊HPMJドレッシング、 レアアース対応スラリー