シリコンならびにSiC/ GaNパワーデバイスの現状・課題・展望
開催日 |
10:30 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | (株)R&D支援センター |
キーワード | 半導体技術 電子デバイス・部品 自動車技術 |
開催エリア | 東京都 |
開催場所 | 【江東区】江東区文化センター |
交通 | 【地下鉄】東陽町駅 |
車の電動化(EV、HEV)対応に向けた性能、信頼性の向上
セミナー講師
国立大学法人 筑波大学 数理物質系 教授・博士(工学) 岩室 憲幸 氏
<略歴・学協会など>
富士電機株式会社に入社、
1988年から現在までパワーデバイスシミュレーション技術、IGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
1992年North Carolina State Univ. Visiting Scholar. MOS-gate thyristorの研究に従事.
1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
2009 年5月~2013年3月 産業技術総合研究所に出向。
SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。
IEEE Senior Member
IEEE Electron Device Society Power Device & IC Technical Committee Member
電気学会上級会員、応用物理学会会員
セミナー受講料
55,000円(税込、昼食・資料付)
■ セミナー主催者からの会員登録をしていただいた場合、1名で申込の場合49,500円、
2名同時申込の場合計55,000円(2人目無料:1名あたり27,500円)で受講できます。
備考欄に「会員登録希望」と希望の案内方法【メールまたは郵送】を記入ください。
(セミナーのお申し込みと同時に会員登録をさせていただきますので、
今回の受講料から会員価格を適用いたします。)
※ 2019年10月1日以降に開催されるセミナーの受講料は、お申込みいただく時期に関わらず
消費税が10%になります。
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すべて無料で年会費・更新料・登録費は一切掛かりません。
セミナー趣旨
2017~18年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車、EVシフトなど車の電動化開発へ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体で車の電動化開発がいよいよ本格化した年となった。EV,HEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに、最新の実装技術についても解説する。特にSiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて丁寧に解説したい。
習得できる知識
1. パワーデバイスの最新技術動向
2. SiC / GaNパワーデバイスの特長と課題
3. SiCデバイス実装技術
4. SiCデバイス特有の設計、プロセス技術
5. SiCならびにGaNパワーデバイスの今後の見通し
セミナープログラム
1.パワーエレクトロニクスとは?
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 高周波動作のメリットは?
1-5 シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か?
2.最新シリコンIGBTの進展と課題
2-1 IGBT開発のポイント
2-2 IGBT特性向上への挑戦
2-3 薄ウェハ フィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
2-4 IGBT特性改善を支える技術
2-5 薄ウェハ化の限界
2-6 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
3-3 SiCのSiに対する利点
3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
3-5 SiCウェハができるまで
3-6 SiC-ダイオードそしてSiC-MOSFET開発へ
3-7 太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
3-8 なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか?
3-9 SiCのデバイスプロセス
3-10 SiCデバイス信頼性のポイント
3-11 最新SiCトレンチMOSFET
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
4-4 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-5 GaN-HEMTの課題
4-6 Current Collapse現象メカニズム
4-7 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
4-8 縦型GaNデバイスの最新動向
5.高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
6.まとめ
【質疑応答・名刺交換】