半導体製造用ドライエッチング・原子層エッチング (ALE) ~ 基礎から最新技術動向まで【LIVE配信・WEBセミナー】

セミナー趣旨

■本セミナーの主題および状況

★近年、最先端デバイス製造工程において、エッチング技術がデバイスの製造可能性を決定する場面も多いです。

★開発課題も、ダメージの最小化、高精度化、深堀技術の確立、高速化、選択性の向上、水平加工技術の確立など、多岐にわたります。

■注目ポイント

★最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を基礎となる物理化学原理から解説！

★近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について表面反応機構から最新技術動向までを解説！

★最先端AI技術のプロセス開発・制御応用に関しても最近の動向を概説！

【講演主旨】

　近年、最先端デバイス製造工程において、エッチング技術がデバイスの製造可能性を決定する場面も多い。開発課題も、ダメージの最小化、高精度化、深堀技術の確立、高速化、選択性の向上、水平加工技術の確立など、多岐にわたる。本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説する。また、最先端AI技術のプロセス開発・制御応用に関しても、最近の動向を概説する。

習得できる知識

・プラズマプロセスの基礎知識
・ドライエッチングの基礎知識
・原子層エッチング（ALE)の基礎知識と最新技術動向

セミナープログラム

１．背景

２．プラズマ科学の基礎

３．代表的なプラズマプロセス装置

４．反応性イオンエッチング（RIE）の基礎
　4.1 プラズマ表面相互作用
　4.2 シリコン系材料エッチング反応機構
　4.3 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
　4.4 高アスペクト比（HAR)エッチング概要

５．プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD)の基礎として

６．ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
　6.1 熱ALD
　6.2 プラズマ支援(PA-)ALD

７．ALEプロセスの概要と最新技術動向
　7.1 PA-ALE
　7.2 熱ALE：リガンド交換
　7.3 熱ALE：金属錯体形成

８．半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX）
　8.1 半導体業界における人工知能（AI）活用の現状
　8.2 仮想計測(VM)と代理モデル：デジタルツインの構築

９．まとめ

【質疑応答】

【キーワード】

半導体微細加工プロセス、プラズマプロセス、成膜、気相蒸着（CVD）、ドライエッチング、反応性イオンエッチング（RIE）、　原子層エッチング（ALE）、　原子層堆積（ALD）

【講演のポイント】

本セミナーでは、プラズマ科学やドライエッチングプロセスの概要を、数式をできるだけ使わずに直感的に理解できるように解説する。そのため、この分野が全く初めての人でも、その基礎を十分学べるように配慮されている。一方、すでにエッチングプロセス等に従事している人は、現在のプロセスで疑問に思っていることなどを、講義中・講義後などに、遠慮なく質問していただきたい。具体例について、可能な限り回答する。

セミナー講師

大阪大学　 エマージングサイエンスデザインR³センター / 名誉教授　 浜口　智志　氏

セミナー受講料

【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。

主催者

開催場所