多結晶半導体薄膜の基礎と応用技術
★ AIを利用した成長プロセスの最適化、プロセス管理、デバイス応用事例を詳解！
【Live配信】２０２５年７月３１日（木） １３：００～１６：３０
【アーカイブ（録画）配信】２０２５年８月７日まで受付（視聴期間：８月８日～８月１８日まで）
セミナー趣旨
本講座では、半導体薄膜の結晶成長に関する基本原理から、主に講演者の開発してきた先端技術、さらにAIによるプロセス最適化とデバイス応用まで、幅広い内容を解説いたします。従来技術の進化と新たな応用可能性を背景に、材料の特性解析や成長制御の革新的手法を学び、産業界における実践的な技術習得を目指します。
参加者の皆様には、理論と実務の両面から技術の核心に迫り、次世代半導体デバイスの開発や新規応用への展望を広げる貴重な知見を提供することを狙いとしています。
受講対象・レベル
企業や大学等の研究者、技術者、学生
習得できる知識
多結晶半導体薄膜の結晶成長プロセスに関する基礎理論の理解、
最新の先端技術や応用事例の把握、半導体薄膜を用いた多様な電子デバイスに関する知見、
AIを活用したプロセス管理と解析の実践的スキルの獲得
セミナープログラム
1.多結晶半導体薄膜の基礎
1.1 半導体薄膜の実用例
1.2 多結晶構造の特徴と利点
1.3 成膜プロセスの概要
1.4 結晶成長機構の理解
1.5 多結晶半導体薄膜の評価技術
2.多結晶半導体薄膜の先端技術
2.1 固相成長機構の制御
2.2 金属触媒の援用
2.3 デバイス応用
3.多結晶半導体薄膜の先端技術
3.1 画像解析と物性抽出
3.2 プロセス最適化手法
4.講演のまとめ
4.1 全体の総括と今後の展望
4.2 質疑応答
【質疑応答】
キーワード：多結晶 半導体 薄膜 セミナー
セミナー講師
筑波大学 数理物質系 教授 博士（工学） 都甲 薫 氏
セミナー受講料
1名につき49，500円（消費税込・資料付き）
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき44，000円（税込）〕
受講について
セミナーの接続確認・受講手順はこちらをご確認下さい。
受講料
49,500円（税込）/人
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