半導体ドライエッチングの基礎と最新技術

セミナー趣旨

本講座では、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング（RIE）から、近年注目を集める原子層エッチング（ALE）にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマＣＶＤと原子層堆積（ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション（DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。

受講対象・レベル

半導体プロセスや関連ガス、材料に関する研究開発・生産製造に携わる方
（初心者から中級者まで）

習得できる知識

・エッチング用プラズマ装置の基礎
・プラズマエッチングにおける物質表面化学反応の基礎
・反応性イオンエッチング、プラズマ支援原子層エッチング（PA-ALE）、熱原子層エッチング（thermal ALE）の特徴と応用

セミナープログラム

1.背景

2.プラズマ科学の基礎

3.代表的なプラズマプロセス装置
　a.容量結合型プラズマ（CCP）装置
　b.誘導結合型プラズマ（ICP）装置

4.反応性イオンエッチング（RIE）の基礎
　a.プラズマ表面相互作用
　b.表面帯電効果
　c.シリコン系材料エッチング反応機構
　d.金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
　e.高アスペクト比（HAR)エッチング概要

5.プラズマCVD概要：原子層堆積（ALD)の基礎として

6.ALDプロセスの概要：原子層エッチング（ALE）の逆過程として
　a.熱ALD
　b.プラズマ支援(PA-)ALD

7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
　a.PA-ALE
　b.熱ALE：リガンド交換
　c.熱ALE：金属錯体形成

8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション（DX)

9.まとめ

＜質疑応答＞

キーワード：
半導体,ドライ,エッチング,プラズマ,ALD,ALE,原子層,入門,講座,研修,セミナー

セミナー講師

大阪大学　エマージングサイエンスデザインR3センター
　　　　　　　　　　　　　　　　特任教授　理学博士・Ph.D. 　浜口 智志　氏

【略歴】
　1982年　東京大学理学部物理学科卒業
　1987年　同大学院理学系研究科物理学専攻博士課程修了
　1988年　ニューヨーク大学大学院数学科博士課程修了
　1988年-1990年　テキサス大学物理学科核融合研究所・研究員
　1990年-1998年　IBM ワトソン研究所・主任研究員
　1998年-2004年　京都大学エネルギー科学研究科・助教授
　2004年-2025年　大阪大学工学研究科・教授
　2025年-現在　大阪大学エマージングサイエンスデザインR3センター・特任教授

【学会活動等】
　国際真空科学技術応用国際連合（IUVSTA）プラズマ科学技術分科会(PSTD)長（2019-2021)、Journal of Plasma Medicine 編集委員長（2019-現在）、プラズマ医療国際学会（IPMS)会長（2015-2016）、米国真空学会(AVS) プラズマ科学技術分科会(PSTD)分科会長（2014）等歴任: 米国物理学会（APS）フェロー、米国真空学会（AVS）フェロー、応用物理学会（JSAP）フェロー

セミナー受講料

55,000円（税込、資料付）
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　・1名申込の場合、55,000円（税込）→44,000円（税込）
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