先端半導体パッケージング技術に向けたハイブリッドボンディング・接合技術と周辺部材の開発【LIVE配信・WEBセミナー】

セミナープログラム

【第1講】 次世代パッケージング技術に向けたハイブリッド接合技術開発の現状と今後

【時間】 13:00-14:15

【講師】横浜国立大学　准教授　井上　史大　氏

【講演主旨】
半導体の将来を担う技術の一つとして注目度が高まっているのが後工程技術を駆使する「チップレット集積」。チップレットはメリットが多い一方で、ビジネスや設計で課題が山積しています。またもちろん製造面でも乗り越えるべき技術課題があります。本講演では、世界的にも研究が進むチップレベルのハイブリッド接合技術をはじめ、チップレット技術の最新動向と課題、後工程強化に向けた取り組みなどを紹介します。

【プログラム】
１、チップレット集積
２、ハイブリッド接合の研究動向と課題
３、ウエハレベルハイブリッド接合
４、チップレベルハイブリッド接合

【質疑応答】

【第2講】 ポリマー/Cuハイブリッド接合の低温化に向けた新規接着材料の開発

【時間】 14:25-15:25

【講師】
三井化学株式会社　 研究開発本部　ICTソリューション事業本部　ICT材料事業推進室　新事業開発G　 久宗　穣　氏

【講演主旨】
現在考案中です

【プログラム】
現在考案中です

【第3講】 ナノポーラス Cu 構造による Cu-Cu 接合に向けた検討

【時間】 15:35-16:50

【講師】
三菱マテリアル株式会社　三田工場 技術開発室 実装プロセスグループ　中川　卓眞　氏

【講演主旨】
電子機器の小型化・高性能化に伴い、内蔵される半導体においても小型化・集積化が急激に進んでいる。現在、はんだバンプを利用した接合技術が一般的であるが、半導体の次世代接合技術として狭ピッチ相互接続に対応する為の様々な構造や接合工程が研究されている。本講演では、SnAgはんだバンプの代替接合技術として、求められる要素を紹介すると共に、現状のCu直接接合技術の課題について紹介する。また、ナノポーラスCu（NP-Cu）構造体の形成方法及びこの構造体を用いた新規接合技術についても紹介する。

【プログラム】
1.半導体後工程における実装技術の概要
 1)実装技術の概要と歴史
 2)電解めっき法によるはんだバンプの作成方
 3)はんだバンプ接合技術
 4)はんだバンプ接合技術の課題
2.次世代実装技術
 1)Cu-Cu接合技術
 2)Hybrid bonding技術
 3)直接接合技術の課題
3.ナノポーラスCu構造
 1)ナノポーラスCu構造の紹介
 2)脱合金法によるナノポーラスCu構造の作成
 3)直接めっき法によるナノポーラスCu構造の作成
 4)ナノポーラスCu構造の特性
 5)ナノポーラスCu構造を用いた接合
 6)ナノポーラスCu応用技術
【質疑応答】

【キーワード】
半導体後工程、Cu直接接合技術、次世代接合、電気めっき、ナノポーラス構造

【講演のポイント】
Cu直接接合技術では、現状のSnAgプロセスに比べて、高コスト、低スループットなど量産化するための課題がたくさん存在する。ナノポーラスCu構造を利用することで現行プロセスを展開可能でき、非常に期待されている技術である。

【習得できる知識】
SnAgめっき及びはんだ接合プロセス
Cu接合技術
電気めっきの基礎
ナノポーラスCu構造と接合

【第4講】 半導体パッケージ製造プロセス向け 新テープの開発とハイブリッド・ボンディング対応

【時間】 17:00-17:45

【講師】
リンテック株式会社　次世代技術革新室／室長代理　田久　真也　氏

【講演主旨】
近年開発が加速するChip on Wafer（CoW）のプロセスでは、一般的にダイシング済の薄チップをコレットと呼ばれる移載ジグで搬送して、接合されるウエーハ上に搭載するが、コレットでチップ表面に接触するため、汚染の機会が多いこと、薄チップの反りがボンディング不良をまねくこと、が課題となっている。ダイレクト・トランスファ・ボンディングは、ボンディングツールを用いて薄化チップをテープ越しに圧着させるため、この課題の解決策として期待されている。この工法に適応する、透明性、易剥離性、テープ剥離後の低残渣性を兼ね備えたテープ、およびその検証結果を紹介する。

【プログラム】
1．ダイレクト・トランスファー・ボンディングとは
　1-1　ダイレクト・トランスファー・ボンディングの概要
　1-2　ダイレクト・トランスファー・ボンディングのメリット
2．ダイレクト・トランスファー・ボンディング対応キャリア・テープとは
　2-1　キャリア・テープに必要な特性１；透明性
　2-2　キャリア・テープに必要な特性２：易剥離性
　2-3　キャリア・テープに必要な特性３：低残渣性
3．テストチップを用いたボンディング評価結果
　3-1　実験DOE
　3-2　実験結果
　3-3　考察
4．今後に向けて
 4-1　エキスパンド・プロセスとの融合
 4-2　まとめと今後
【質疑応答】

【キーワード】
フュージョン・ボンディング、ダイレクト・トランスファー・ボンディング、ピックアップ、低残渣

セミナー講師

第1部　 横浜国立大学　 准教授　 井上　史大　氏
第2部　 三井化学株式会社　 研究開発本部　ICTソリューション事業本部　ICT材料事業推進室　新事業開発G　 久宗　穣　氏 
第3部　 三菱マテリアル株式会社　 三田工場 技術開発室 実装プロセスグループ　 中川　卓眞　氏
第4部　 リンテック株式会社　 次世代技術革新室／室長代理　 田久　真也　氏

セミナー受講料

●1名様　　：60,500円（税込、資料作成費用を含む）
●2名様以上：16,500円（お一人につき）
　※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません