EUVリソグラフィ最新技術動向 ～ 基礎とレジスト材料開発例、微細化と高出力EUV光源開発、次世代EUVL技術の今後の展望 ～【LIVE配信・WEBセミナー】

セミナー趣旨

【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】

■本セミナーの主題および状況
★EUVLの基礎とレジスト材料の開発例、半導体の微細化、リソグラフィ光源の進歩、高出力EUV光源開発の課題とその進展、そして次世代EUVL技術の今後の展望（High NA EUVL、Hyper NA EUVL, Beyond EUVL）、並びに技術課題と今後の展開について紹介します。

■注目ポイント
★EUVリソグラフィの基礎とレジスト材料の開発例について学習、習得できる！
★半導体の微細化とリソグラフィ光源の進歩について学習、習得できる！
★高出力EUV光源開発の課題とその進展について学習、習得できる！
★EUV光源システムおよび応用研究に関する新動向について学習、習得できる！
★IRDSおよび半導体市場動向ついて学習、習得できる！
★EUVLの技術課題について学習、習得できる！
★次世代EUVLの技術動向について学習、習得できる！

セミナープログラム

【第1講】 EUVリソグラフィの基礎とレジスト材料の開発例

【時間】 13:00-14:15

【講師】
関西大学　化学生命工学部 化学・物質工学科 教授　工藤　宏人　氏

【講演主旨】
フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、露光システムに対応したレジスト材料が開発されてきた。2017年より極端紫外線(EUV)露光システムが実用化されている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料の開発が必要とされ続けている。本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、ＥＵＶ用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。

【プログラム】
1.   EUV用レジストシステム
　　1.1. ムーアの法則とEUV用レジストシステム
       1.2. EUVレジストシステムの開発の動向
　　1.3. EUV用レジスト材料の開発の必要性について
　　1.4. EUV用レジスト材料に求められる特性

2.  EUV用レジスト材料
　　2.1. ポジ型EUV用レジスト材料（化学増幅型EUV用レジスト材料）
　　2.2. ネガ型EUV用レジスト材料（非化学増幅型EUV用レジスト材料）
　　2.3. メタルEUV用レジスト材料

3.  EUV用レジスト材料の開発例
　　3.1.高感度型EUVレジスト材料
　　3.2.EUV用レジスト材料の今後の課題

【キーワード】
EUV用レジスト材料、ポジ型EUV用レジスト材料、ネガ型EUV用レジスト材料、メタルEUV用レジスト材料

【習得できる知識】
EUVリソグラフィの基礎と開発動向、 EUV用レジスト材料の詳細、EUV用レジスト材料の開発例と今後の課題

【第2講】 リソグラフィ用EUV（極端紫外）光源研究の現状と将来展望

【時間】 14:30-15:45

【講師】
九州大学　客員教授(元ギガフォトン株式会社 シニアフェロー）　溝口　計　氏

【講演主旨】
最先端リソグラフィのフラグシップが短波長化による微細化で一律にツールが切り変わっていた時代から、複数のアプローチが共存する時代となった。すなわち；
①ロジックデバイス、DRAM：EUVまたは液浸ArF多重露光による微細化
②NAND フラッシュメモリ：KrFエキシマ露光により3D 構造化し容量アップ。
③GPU などの Si オンチップデバイス：パッケージング工程の微細化により中工程（Middle End Process）と呼ばれる。
こうした中で最先端デバイスの製造に欠かせないEUV光源の最近の進展と将来の開発の方向性について、世界の最新動向から解説する。

【プログラム】
1.半導体の微細化とリソグラフィ光源の進歩
　1-1　微細化とリソグラフィの進化
　1-2　Rayleighの式と光源の短波長化の歴史
　1-3　DUV光源の狭帯域化と屈折投影光学系
　1-4　多重露光技術
　1-5　狭帯域化KrFエキシマレーザ
　1-6　狭帯域化ArFエキシマレーザ

2．EUVリソグラフィ
　2-1　EUVリソグラフィと開発の経緯
　2-2　世界の露光装置開発と市場の現況

3．高出力EUV光源開発の課題とその進展
　3-1　高出力EUV光源の開発の経緯
　3-2　高出力ドライバレーザの開発（CO2、固体レーザー）
　3-3　EUVプラズマと変換効率の向上
　3-4　磁場デブリミチゲーション

４. EUV光源システムおよび応用研究に関する新動向
　4-1　文科省Kプログラム
　4-2　九大OIPによるEUVフォトン（株）の紹介

５. おわりに

【キーワード】
リソグラフィ、半導体製造、光源、DUV、EUV、レーザー、レーザー生成プラズマ

【講演者の最大のPRポイント】
エキシマレーザ、EUV光源の製品化開発に長年従事。エキシマレーザーでは世界シェアNo.1（5１％）のギガフォトン社のリソグラフィ光源開発を実現した技術開発の第１人者。

＜略歴＞
1982年九州大学総合理工研究科修了。同年コマツ入社、以来CO2レーザー、エキシマレーザー、EUV光源の研究開発に従事。2000年にギガフォトン（株）創業。同社の研究開発部門の責任者を長年務めた、2008年から2018年まで同社代表取締役副社長（兼）CTOを歴任。　
現在、ギガフォトン・技術顧問。九州大学システム情報科学研究院　客員教授。SPIEフェロー。IAAM会員。工学博士（1994年九州大学工学部）。日本レーザー学会　諮問委員、正会員。日本応用物理学会　正会員。

＜現在＞
会社の現役を退いた今、国内大学（九州大学）での将来リソグラフィ用短波長光源の研究プロジェクトの構築にチャレンジしている。

【習得できる知識】
短波長光源技術、レーザー技術、シミュレーション技術の応用

【第3講】 Beyond EUVへの将来展望および目指すべき半導体業界の将来像と課題

【時間】 16:00-17:15

【講師】
兵庫県公立大学法人　兵庫県立大学　高度産業科学技術研究所, 特任教授　次世代EUVL研究寄附部門, PI　理学博士　渡邊　健夫　氏

【講演主旨】
半導体微細加工技術であるEUVLは、3次元のパッケージング技術と並んで重要な技術である。今後もさらなる微細加工技術が要求されており、High NA EUVLをはじめ、次世代EUVL技術であるHyper NA EUVLおよびBeyond EUVLが検討されている。講演では以上を踏まえて、半導体技術動向、EUVLの技術動向、次世代EUVL技術の今後の展望（High NA EUVL、Hyper NA EUVL, Beyond EUVL）、並びに以上の技術課題と今後の展開について紹介する。また、日本半導体復活に向けて必要な取り組みについても言及する。

【プログラム】
１．はじめに
２．IRDSおよび半導体市場動向
３．EUVLの技術課題
４．High NA　EUVLに向けて
５．次世代EUVLの技術動向
　５－１．Hyper NA EUVLの技術課題と今後の展望
　５－２．Beyond EUVLの技術課題と今後の展望

６．まとめ

質疑応答

【キーワード】
EUVL、High NA EUVL, Hyper NA EUVL, レジスト、マスク、ペリクルなどの要素技術

【講演者の最大のPRポイント】
講演者は1993年より半導体関連企業でＸ線縮小露光技術（現、EUVL）の開発に従事し、1996年１月に姫路工業大学（現　兵庫県立大学）に赴任してからもEUVLの基盤技術に従事してきた。これまで、EUVL関連で４つの国家プロジェクトに参画し、国内外の多くの企業との共同研究を進めてきた。2024年９月より、兵庫県立大学高度産業科学技術研究所で次世代EUVL寄附講座で次世代EUVLの基礎研究に従事している。2024年12月に兵庫県科学賞を受賞した。

【習得できる知識】
半導体技術動向
EUVLの技術動向
次世代EUVL技術の今後の展望（High NA EUVL、Hyper NA EUVL, Beyond EUVL）
以上の技術課題

セミナー講師

第1部　 関西大学　 化学生命工学部 化学・物質工学科 教授　 工藤　宏人　氏
第2部　 九州大学　 客員教授(元ギガフォトン株式会社 シニアフェロー）　 溝口　計　氏
第3部　 兵庫県公立大学法人　兵庫県立大学　 高度産業科学技術研究所, 特任教授　次世代EUVL研究寄附部門, PI　理学博士　 渡邊　健夫　氏

セミナー受講料

【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)
  2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。