レジスト・微細加工用材料の基礎・要求特性と最新技術動向

〜 次世代リソグラフィ、パターニングへの対応 〜

★ レジスト・リソグラフィの基本から、EUV／DSA／液浸リソグラフィ、ナノインプリント、ダブルパターニング等のこれから求められる材料特性と最新動向、展望まで！

講師

大阪大学 産業科学研究所　招聘教授　遠藤 政孝 先生

【講師紹介】
　1983年松下電器産業株式会社入社。以来同社半導体研究センター、パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センターにて、半導体リソグラフィプロセス、レジスト、微細加工用材料の開発に従事。
　2009年から大阪大学産業科学研究所にて、EUVレジストの研究開発に従事。

受講料

1名46,440円(税込（消費税8％）、資料・昼食付)
＊1社2名以上同時申込の場合 、1名につき35,640円
＊学校法人割引 ；学生、教員のご参加は受講料50％割引。

セミナー開催にあたって

■ はじめに：
　メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードも近づいている。本講演では、これらのデバイスの微細化を支えるレジスト、微細加工用材料の基礎、要求特性、課題と対策、最新の動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめる。

■ 受講対象者：
・本テーマに興味のある企業の研究者、技術者、製造販売担当、新規事業開発担当、
　企画担当、市場アナリストの方
・これらの職種を希望される学生の方

■ 必要な予備知識：
基本から解説しますので予備知識は不要です。

■ 本セミナーで習得できること（一例）：
・レジスト・微細加工用材料の基礎知識
・レジスト・微細加工用材料の要求特性
・レジスト・微細加工用材料の課題と対策
・レジスト・微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向

セミナー内容

１．はじめに
　1）リソグラフィの基礎
　　a）露光
　　　・コンタクト露光
　　　・ステップ＆リピート露光
　　　・スキャン露光
　　b）照明方法
　　　・斜入射（輪帯）照明
　　c）マスク
　　　・位相シフトマスク
　　　・光近接効果補正（OPC）
　　　・マスクエラーファクター（MEF）
　　d）レジストプロセス
　　　・反射防止プロセス
　　　・ハードマスクプロセス
　　　・化学機械研磨（CMP）技術
　2）ロードマップ
　　a）リソグラフィへの要求特性
　　b）レジストへの要求特性

２．レジストの基礎
　1）溶解阻害型レジスト
　　a）i線レジスト
　　b）g線レジスト
　2）化学増幅型レジスト
　　a）KrFレジスト
　　b）ArFレジスト
　　c）化学増幅型レジストの安定化技術

３．液浸リソグラフィ
　1）液浸リソグラフィの基本と課題
　　a）従来NAレンズでの液浸リソグラフィ
　　b）高NAレンズでの液浸リソグラフィ
　2）液浸リソグラフィ用トップコート
　3）液浸リソグラフィ用レジスト
　　a）液浸リソグラフィ用レジストの要求特性
　　b）液浸リソグラフィ用レジストの設計指針

４．ダブル/マルチパターニング
　1）ダブル/マルチパターニングの基本と課題
　2）リソーエッチ（LE）プロセス用材料
　3）セルフアラインド（SA）プロセス用材料

５．EUVリソグラフィ
　1）EUVリソグラフィの基本と課題
　2）EUVレジスト
　　a）EUVレジストの要求特性
　　b）EUVレジストの設計指針
　　　・EUVレジスト用ポリマー
　　　・EUVレジスト用酸発生剤
　　c）EUVレジストの課題と対策
　　　・感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
　　　・Stochastic Effects
　3）最新のEUVレジスト
　　a）分子レジスト
　　b）ネガレジスト
　　c）ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
　　d）無機/メタルレジスト
　　　・レジストメーカー開発の無機/メタルレジスト
　　　・大学開発の無機/メタルレジスト

６．自己組織化（DSA）リソグラフィ
　1）自己組織化リソグラフィの基本と課題
　2）グラフォエピタキシー用材料
　3）ケミカルエピタキシー用材料
　4）最新の高χ（カイ）ブロックコポリマー
　　a）Si含有型ブロックコポリマー
　　b）有機型ブロックコポリマー

７．ナノインプリント
　1）ナノインプリントの基本と課題
　2）加圧方式ナノインプリント用材料
　3）光硬化式ナノインプリント用材料
　　a）光硬化材料
　　b）離型剤

８．おわりに
　1）レジスト・微細加工用材料の今後の技術展望
　2）レジスト・微細加工用材料の市場動向
 
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