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【延期】半導体ドライエッチングの基礎と原子層プロセスの最新動向
開催日 |
10:00 ~ 16:30 締めきりました |
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主催者 | 株式会社トリケップス |
キーワード | 半導体技術 プラズマ技術 薄膜、表面、界面技術 |
開催エリア | 全国 |
開催場所 | Zoomを利用したオンライン講座 |
~ 基礎となる物理化学原理から解説する ~
セミナー講師
浜口智志(はまぐちさとし)氏 大阪大学 工学研究科 マテリアル生産科学専攻 教授(理学博士)<略歴> 1982年 東京大学 理学部 物理学科 卒業 1987年 東京大学大学院 理学系研究科 物理学専攻 博士課程修了 1988年 ニューヨーク大学大学院 数学科 博士課程修了 1988年-1990年 テキサス大学物理学科 核融合研究所 研究員 1990年-1998年 IBM ワトソン研究所 主任研究員 1998年-2004年 京都大学 エネルギー科学研究科 助教授 2004年 大阪大学 工学研究科 教授 現在に至る <学会活動等> 国際真空科学技術応用国際連合(IUVSTA)プラズマ科学技術分科会(PSTD)長(2019-2021)、Journal of Plasma Medicine 編集委員長(2019-現在)、プラズマ医療国際学会(IPMS)会長(2015-2016)、米国真空学会(AVS)プラズマ科学技術分科会(PSTD)分科会長(2014)等歴任、米国物理学会(APS)フェロー、米国真空学会(AVS)フェロー、応用物理学会(JSAP)フェロー
セミナー受講料
お1人様受講の場合 53,900円[税込] / 1名1口でお申込の場合 66,000円[税込] / 1口(3名まで受講可能)
受講申込ページで2~3名を同時に申し込んだ場合、自動的に1口申し込みと致します。
受講について
- 本セミナーの受講にあたっての推奨環境は「Zoom」に依存しますので、ご自分の環境が対応しているか、お申込み前にZoomのテストミーティング(http://zoom.us/test)にアクセスできることをご確認下さい。
- インターネット経由でのライブ中継ため、回線状態などにより、画像や音声が乱れる場合があります。講義の中断、さらには、再接続後の再開もありますが、予めご了承ください。
- 受講中の録音・撮影等は固くお断りいたします。
セミナー趣旨
本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説する。具体的には、ドライエッチングに用いられるプラズマ装置、装置内のプラズマの構造やダイナミクス、気相反応、および、反応性イオンエッチング(RIE)から、近年注目を集める原子層エッチング(ALE)にわたるドライエッチング技術に関して、プラズマ物質相互作用の物理機構から最新技術動向まで、詳しく紹介する。関連項目として、プラズマCVDと原子層堆積(ALD)プロセス、および、現在進行しつつあるプロセス開発におけるデジタル・トランスフォーメーション(DX)の最新研究動向についても、概要を紹介する。プラズマプロセスの初心者でも聴講できる講義内容を目指す。
セミナープログラム
1 背景 2 プラズマ科学の基礎 3 代表的なプラズマプロセス装置 3.1 容量結合型プラズマ(CCP)装置 3.2 誘導結合型プラズマ(ICP)装置
4 反応性イオンエッチング(RIE)の基礎 4.1 プラズマ表面相互作用 4.2 表面帯電効果 4.3 シリコン系材料エッチング反応機構 4.4 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構 4.5 高アスペクト比(HAR)エッチング概要
5 プラズマCVD概要:原子層堆積(ALD)の基礎として 6 ALDプロセスの概要:原子層エッチング(ALE)の逆過程として 6.1 熱ALD 6.2 プラズマ支援(PA-)ALD
7 ALEプロセスの概要と最新技術動向 7.1 PA-ALE 7.2 熱ALE:リガンド交換 7.3 熱ALE:金属錯体形成
8 半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX) 9 まとめ